- 专利标题: 片上芯片高温老化测试插座控制系统及控制方法
-
申请号: CN202310013046.6申请日: 2023-01-05
-
公开(公告)号: CN115794526B公开(公告)日: 2023-10-10
- 发明人: 金永斌 , 王强 , 贺涛 , 丁宁 , 朱伟 , 章圣达 , 陈伟
- 申请人: 法特迪精密科技(苏州)有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市苏州工业园区兴浦路200号5#101、102、201、202
- 专利权人: 法特迪精密科技(苏州)有限公司
- 当前专利权人: 法特迪精密科技(苏州)有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市苏州工业园区兴浦路200号5#101、102、201、202
- 主分类号: G06F11/22
- IPC分类号: G06F11/22 ; H05B3/02 ; H05B3/40 ; G06F1/20
摘要:
本发明片上芯片高温老化测试插座控制系统及控制方法属于半导体测试技术领域;所述片上芯片高温老化测试插座控制系统,包括上位机,温度控制单元和片上芯片高温老化测试插座;所述上位机连接至少一个温度控制单元,通过温度控制单元TCP/IP协议及网口命令,对温度控制单元进行配置、监测和记录;所述温度控制单元连接至少一个片上芯片高温老化测试插座,对每一个片上芯片高温老化测试插座进行监测和控制;在片上芯片高温老化测试插座控制系统的基础上,本发明还公开了一种片上芯片高温老化测试插座控制方法,低成本、升温快、体积小、可移动、配套设施要求低、兼容性高。
公开/授权文献
- CN115794526A 片上芯片高温老化测试插座控制系统及控制方法 公开/授权日:2023-03-14