本发明提供一种电压调控的SOT‑MRAM存储单元及SOT‑MRAM存储器，该SOT‑MRAM存储单元包括：自旋轨道矩产生层、顶部电极以及位于自旋轨道矩产生层和顶部电极之间的磁性隧道结，该磁性隧道结包括：自由层，位于自旋轨道矩产生层上，自由层具有方向可变的垂直磁化；位于自由层上的势垒层；位于势垒层上的参考层，具有方向固定的垂直磁化；位于参考层上的间隔层；位于间隔层上的偏置层，具有与参考层磁化方向相反的磁化，用于对自由层产生一个偏置场，其中偏置层的饱和磁化强度高于参考层的饱和磁化强度；位于偏置层上的调节层，用于当顶部电极和自旋轨道矩产生层之间施加跨磁性隧道结的电压时，利用VCMA效应改变偏置层的磁各向异性。