公开(公告)号：CN115762592A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202111029362.X

申请日：2021-09-02

申请人： 浙江驰拓科技有限公司

发明人： 张文彪 ,  石以诺 ,  孟皓 ,  迟克群 ,  冯向 ,  李州

IPC分类号： G11C11/15

摘要： 本发明提供一种电压调控的磁性存储单元及磁性存储器。该磁性存储单元包括：底电极、顶电极及位于底电极和顶电极之间的磁性隧道结，磁性隧道结包括：位于底电极上方的参考层，参考层具有方向固定的垂直磁化；位于参考层上方的势垒层；位于势垒层上方的自由层，自由层具有方向可变的垂直磁化；位于自由层上方的磁性偏置层，磁性偏置层具有方向固定的垂直磁化，与自由层具有层间交换耦合；位于自由层和磁性偏置层之间的调节层，用于根据底电极和顶电极之间的电压调节自由层和磁性偏置层之间的层间交换耦合。

公开(公告)号：CN115691596A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202110854299.7

申请日：2021-07-27

申请人： 浙江驰拓科技有限公司

发明人： 石以诺 ,  迟克群 ,  李州 ,  张文彪 ,  孟皓

IPC分类号： G11C11/16

摘要： 本发明提供一种磁性存储单元，包括：磁性隧道结、有磁性的自旋轨道矩效应层及连接层，磁性隧道结自由层垂直磁化，自旋轨道矩效应层靠近自由层设置，并具有形状各向异性，通过形状各向异性与自由层形成静磁耦合，自旋轨道矩效应层与自由层磁化方向相同，当自旋轨道矩效应层中通过电流时，自旋轨道矩效应层与自由层磁化方向同步翻转；连接层设置于自由层和自旋轨道矩效应层之间。

公开(公告)号：CN114695646A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011569976.2

申请日：2020-12-25

申请人： 浙江驰拓科技有限公司

发明人： 迟克群 ,  石以诺 ,  李州 ,  张文彪 ,  孟皓

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  H01L43/10 ,  H01L27/22

摘要： 本发明提供一种自旋存储单元，包括：自旋轨道矩提供层；第一偏置层，形成在所述自旋轨道矩提供层上；所述第一偏置层用于提供第一偏置磁场；第二偏置层，形成在所述第一偏置层上；所述第二偏置层用于提供第二偏置磁场；磁隧道结叠层结构，形成在所述第二偏置层上；所述磁隧道结叠层结构的自由层和参考层的磁化方向与所述第一偏置层和所述第二偏置层的磁化方向垂直。本发明能够通过第一偏置层的磁化方向的改变，使偏置磁场具有两种不同的状态，两种状态下的偏置磁场分别用于STT‑MRAM降低读写功耗和提高非易失性。

公开(公告)号：CN114628576A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011468695.8

申请日：2020-12-11

申请人： 浙江驰拓科技有限公司

发明人： 李州 ,  孟皓 ,  迟克群 ,  石以诺 ,  张文彪

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  H01L43/10 ,  G11C11/16 ,  G06N3/063

摘要： 本发明提供一种磁隧道结叠层结构，包括：由下向上依次层叠的自旋轨道矩提供层、第一自由层、耦合层、第二自由层、势垒层和参考层；其中，所述第一自由层和所述第二自由层的其中一个为面内磁化方式，另一个为垂直磁化方式；所述参考层的磁化方式与第二自由层的磁化方式相同。将第一自由层和第二自由层的磁化方式设置为不同的磁化方式，利用两者的组合，能够适应多种应用。

公开(公告)号：CN115811930A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202111077321.8

申请日：2021-09-14

申请人： 浙江驰拓科技有限公司

发明人： 迟克群 ,  石以诺 ,  孟皓 ,  张文彪 ,  李州 ,  冯向

IPC分类号： H10N59/00 ,  H10N50/10 ,  H10N50/85

摘要： 本发明提供一种电压调控的SOT‑MRAM存储单元及SOT‑MRAM存储器，该SOT‑MRAM存储单元包括：自旋轨道矩产生层、顶部电极以及位于自旋轨道矩产生层和顶部电极之间的磁性隧道结，该磁性隧道结包括：自由层，位于自旋轨道矩产生层上，自由层具有方向可变的垂直磁化；位于自由层上的势垒层；位于势垒层上的参考层，具有方向固定的垂直磁化；位于参考层上的间隔层；位于间隔层上的偏置层，具有与参考层磁化方向相反的磁化，用于对自由层产生一个偏置场，其中偏置层的饱和磁化强度高于参考层的饱和磁化强度；位于偏置层上的调节层，用于当顶部电极和自旋轨道矩产生层之间施加跨磁性隧道结的电压时，利用VCMA效应改变偏置层的磁各向异性。