本发明涉及到二维材料的制备技术领域，提供了一种通过CVD载气周期性控制制备二维TaS2的方法，包括以下步骤：(1)采用五氯化钽和单质硫作为前驱体，通过在Ar气氛中研磨S和TaCl5，得到混合物，再放入前温区的石英舟内，同时衬底放置于后温区；(2)将步骤(1)完成后，先通过控制加热温度，让混合物气化，在周期性控制的载气Ar/H2流速的作用下运输到衬底处反应，沉积得到层数可控的2D TaS2；(3)将步骤(2)沉积所得的TaS2在稳定Ar/H2气流流速下保温，再降至室温后取出样品。该方法制备工艺简单，成本低，载气周期性脉冲可以简易的控制前驱体的输送量，使沉积的TaS2层数可控，在光电器件、传感器和储能器件等领域都具有广阔的应用前景。