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公开(公告)号：CN118714905A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410986741.5
申请日：2024-07-23
申请人： 云南师范大学
摘要： 本申请属于钙钛矿太阳电池技术领域，具体涉及一种四配位化合物分子无机钙钛矿太阳电池及其制备方法。具体地，四配位化合物对称结构分子修饰或掺杂无机钙钛矿光吸收层。本发明的四配位化合物对称结构分子中的支臂羰基或羧基能够提供孤对电子，既可钝化无机钙钛矿光吸收层中晶界处未饱和的卤素离子，又可钝化无机钙钛矿界面处未配位的Pb2+，降低缺陷态密度，减少非辐射复合，提升器件的开路电压和光电转换效率。另外，四配位化合物对称结构分子特有的爪型结构能够螯合钙钛矿表面，重构钙钛矿表面应力，抵御水氧侵蚀，从而抑制相分离与相偏析。综合以上效果，本发明在钙钛矿太阳电池技术领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118655188A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410884555.0
申请日：2024-07-03
申请人： 电子科技大学中山学院
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本申请涉及气体检测领域，具体提供了一种检测乙醇的复合气敏材料，复合气敏材料包括Fe2(MoO4)3微球和Pt颗粒，Pt颗粒分布于Fe2(MoO4)3微球的表面。制备方法包括如下步骤：S1，利用水热法制备Fe2(MoO4)3微球；S2，在Fe2(MoO4)3微球表面负载Pt颗粒，得到复合气敏材料。复合气敏材料可用于探测乙醇浓度，将复合气敏材料和松油混合研磨，得到浆料；将浆料涂于丝网印刷的Al2O3器件基板上，并放置到加热台上，在300‑320℃温度下，老化24‑48h后，即可置于待检测环境中进行乙醇浓度的检测。本申请复合气敏材料在150℃下对100ppm乙醇的灵敏度高达315，探测灵敏度较高；复合气敏材料的响应时间仅为15秒，最低实际检测限为20ppb，同时还表现出较好的稳定性、可重复性、高选择性。
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公开(公告)号：CN118652183A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410986746.8
申请日：2024-07-23
申请人： 云南民族大学
IPC分类号： C07C211/63 , C07C209/00 , C09K11/06
摘要： 本发明涉及有机‑无机杂化发光材料技术领域，公开了一种Mn(II)基氯化物绿光材料及制备方法，本发明所述一种Mn(II)基氯化物绿光材料及制备方法的化学式组成为(C19H42N)2MnCl4，为单斜晶系。Mn(II)基氯化物绿光材料分子中[MnCl4]2‑四面体被有机阳离子基团[C19H42N]+分隔开，使得Mn‑Mn距离大，从而有利于降低Mn–Mn之间的非辐射跃迁，从而提升了其发光性能。另外，本发明的Mn(II)基氯化物绿光材料在分子水平上具有零维结构，具有环境稳定性好、发光性能优良的优势。本发明的Mn(II)基氯化物绿光材料制备方法为反溶剂结晶法，该方法工艺简单、高效、重复性强。
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公开(公告)号：CN118501209A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410572618.9
申请日：2024-05-10
申请人： 中山国昌荣电子有限公司
发明人： 蒋军林
IPC分类号： G01N27/04 , H05K3/00 , G01R27/08 , B23K26/382 , B23K26/70
摘要： 本发明涉及印刷电路板制备技术领域，具体涉及一种印刷电路板激光钻孔监测方法：在介质层底部的底部铜箔的边缘连接至少两个电极，在激光钻孔时，通过测量电极间底部铜箔的导电特性变化实现激光钻孔监测。当激光过度照射到底部铜箔上时，加热了底部铜箔，改变了底部铜箔的导电特性，通过底部铜箔导电特性的变化确定激光是否过度照射到了底部铜箔上。如果激光过度照射到了底部铜箔上，则断开激光。本发明仅需要将底部铜箔连接电极和外电路，测量底部铜箔导电特性变化即可实现激光钻孔的监测，具有方法简单、成本低的优点，在印刷电路板激光钻孔领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118479882A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410608394.2
申请日：2024-05-16
申请人： 云南民族大学
IPC分类号： C04B35/553 , C04B35/622
摘要： 本申请涉及发光材料合成技术领域，具体涉及一种Mn4+离子掺杂的氟化物陶瓷片及其制备方法。陶瓷片为Mn4+掺杂Rb2GeF6，Rb2GeF6与Mn4+的摩尔比为1:0.09。Mn4+离子掺杂的氟化物陶瓷片的制备方法，包括：步骤1、将Rb2GeF6:0.09Mn4+粉末置于模具中，加热和加压压制成型；步骤2、冷却至室温后，得到Rb2GeF6:0.09Mn4+氟化物陶瓷片。本发明提供了的Rb2GeF6:0.09Mn4+陶瓷片具有较高的导热性能，适用于大功率LED器件。另外，本发明提供的制备Rb2GeF6:0.09Mn4+陶瓷片的方法仅具有加热和加压即可，方法简单、成本低。综合以上有益效果，本发明在发光材料合成技术领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN116145011B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310204159.4
申请日：2023-03-06
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明涉及共晶合金技术领域，具体涉及一种低温高强三元CoNiCr系共晶合金及其制备方法，该CoNiCr系共晶合金由Co、Ni、Cr三种元素组成，合金各元素的摩尔百分比为Co：Ni：Cr＝1：1：2，该CoNiCr系共晶合金由真空电弧熔炼技术制备得到，微观组织具有规则排列的层片状特征，具有低温力学性能优异的特性，在海洋船舶复杂结构螺旋桨的铸造成型等领域具有重要的应用前景，利用本发明的制备方法来制备CoNiCr系共晶合金，其工艺成熟，成分损耗小，操作简便。
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公开(公告)号：CN115970715B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202211206832.X
申请日：2022-09-30
申请人： 云南师范大学
IPC分类号： B01J27/135 , B01J35/39 , B01J35/61 , C02F1/30 , C02F101/38
摘要： 本发明涉及纳米半导体材料领域，特别是基于一种Z型异质结Cs2AgBiBr6/TiO2复合材料及其制备方法：将立方状Cs2AgBiBr6纳米点超声分散于辛烷中，取3ml分散于辛烷中的Cs2AgBiBr6溶液并加入0.3g的介孔TiO2，在手套箱中使用磁力搅拌加热台搅拌1小时使Cs2AgBiBr6和TiO2混合均匀后，缓慢加热至120℃蒸发掉溶剂，待溶剂完全蒸发完以后，将得到的Cs2AgBiBr6/TiO2粉末进行研磨，在管式炉中氩气氛200℃下热处理2小时，最终制备深黄色得到Z型异质结Cs2AgBiBr6/TiO2复合材料。本发明提供了一种将介孔TiO2和Cs2AgBiBr6纳米点复合的热蒸发法，该方法简易高效且耗能低，有效解决了TiO2复合材料体系难以兼容高比表面积，宽吸收光谱和高载流子利用率的难题，该材料体系在光催化降解盐酸四环素时展现出优异的性能。
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公开(公告)号：CN118273157A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410363115.0
申请日：2024-03-28
申请人： 广东鸿祺新材料有限公司
摘要： 本申请涉及印刷电路板制作技术领域，具体涉及一种耐热阻焊纸、制备方法及电路板。本发明的耐热阻焊纸包括底材层和阻焊层，阻焊层置于底材层上，底材层为阻焊层提供附着的表面，阻焊层防止焊料在不应焊接的区域中流动，阻焊层的表面设有阻焊凸起，阻焊凸起形成网格，阻焊凸起和阻焊层的材料相同；应用时，阻焊凸起固定在基板上。在本发明中，阻焊凸起减缓了热膨胀时阻焊纸对基板的拉扯力；另外，阻焊凸起还减缓了钻孔产生的热在阻焊层上的传递。这两方面的效果均使得阻焊纸更耐热，使得设有本发明阻焊纸的基板能够承受更高的钻孔速度，提高了钻孔效率，在印刷电路板制备领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117929353B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410324445.9
申请日：2024-03-21
申请人： 延安大学
IPC分类号： G01N21/65
摘要： 本申请涉及拉曼散射领域，具体提供了一种半导体异质结表面增强拉曼散射衬底，该衬底包括基底层，基底层的一侧固定设置第一半导体层，第一半导体层远离基底层一侧固定设置有第二半导体层，第二半导体层的面积小于第一半导体层的面积，第一半导体层和第二半导体层的材料不同，探测时，待测分子置于衬底的表面。本发明提供的衬底使用半导体异质结进行拉曼信号的增强。入射激光照射使得异质结半导体表面局部电场增强；异质结半导体界面处的内建电场促进电子空穴对的分离以及电子在异质结界面处的迁移，使得异质结半导体表面的电场强度增大，从而进一步提升拉曼信号的强度。因此，本申请衬底对拉曼信号的增强效果较好。
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公开(公告)号：CN118174549A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410378197.6
申请日：2024-03-29
申请人： 电子科技大学中山学院
摘要： 本申请涉及驱动电路领域，具体提供了一种驱动电路，该驱动电路包括升压电路，驱动电路的输入与升压电路的输入端连接，升压电路的输出端与逆变电路的输入端连接，逆变电路的输出端与谐振电路的输入端连接，谐振电路的输出端与变压器的原边连接，变压器的副边与整流电路的输入端连接，整流电路的输出端与滤波电路的输入端连接，滤波电路的输出端与驱动电路连接；升压电路与控制器连接，控制器用于控制升压电路。本申请基于Boost‑LLC级联谐振变换器，控制器与升压电路连接，获取驱动电路的输出电流和升压电路中的母线电压。通过母线电压与输出电流反馈共同作用调整第一开关管的占空比稳定母线电压，从而母线电压不随输入电压的增大而升高。
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