发明公开
- 专利标题: 基于铟锑碲的可编程红外热发射调控器及其在热伪装中的应用方法
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申请号: CN202211461328.4申请日: 2022-11-21
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公开(公告)号: CN115847946A公开(公告)日: 2023-03-28
- 发明人: 帅永 , 周思宏 , 郭延铭 , 朱良伟 , 潘庆辉
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司
- 代理商 张利明
- 主分类号: B32B15/00
- IPC分类号: B32B15/00 ; B32B15/04 ; B32B9/00 ; B32B9/04 ; B32B33/00 ; F41H3/00
摘要:
一种基于铟锑碲的可编程红外热发射调控器及其在热伪装中的应用方法,属于微纳光子器件技术领域。本发明针对现有光谱辐射特性可调器件的调控幅度小并且调控稳定性差的问题。调控器包括:每个正方形调控单体为四层平面叠层结构,包括依次从下至上的银金属层、砷化镓介质中间层、非晶相In3SbTe2相变材料层和砷化镓介质顶层,所述非晶相In3SbTe2相变材料层通过被激励源加热由中心开始向外围延伸形成圆柱形晶相In3SbTe2相变区间;圆柱形晶相In3SbTe2相变区间通过冷却由外围向中心转变为非晶相In3SbTe2相变材料层;多个正方形调控单体按对应位置的光谱发射率目标值进行圆柱形晶相In3SbTe2相变区间范围的调整。本发明用于目标环境热伪装。
公开/授权文献
- CN115847946B 基于铟锑碲的可编程红外热发射调控器及其在热伪装中的应用方法 公开/授权日:2023-07-25