基于铟锑碲的可编程红外热发射调控器及其在热伪装中的应用方法

    公开(公告)号:CN115847946B

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202211461328.4

    申请日:2022-11-21

    摘要: 一种基于铟锑碲的可编程红外热发射调控器及其在热伪装中的应用方法,属于微纳光子器件技术领域。本发明针对现有光谱辐射特性可调器件的调控幅度小并且调控稳定性差的问题。调控器包括:每个正方形调控单体为四层平面叠层结构,包括依次从下至上的银金属层、砷化镓介质中间层、非晶相In3SbTe2相变材料层和砷化镓介质顶层,所述非晶相In3SbTe2相变材料层通过被激励源加热由中心开始向外围延伸形成圆柱形晶相In3SbTe2相变区间;圆柱形晶相In3SbTe2相变区间通过冷却由外围向中心转变为非晶相In3SbTe2相变材料层;多个正方形调控单体按对应位置的光谱发射率目标值进行圆柱形晶相In3SbTe2相变区间范围的调整。本发明用于目标环境热伪装。

    一种用于固体材料高温发射率测量的样片加热装置及其测量方法

    公开(公告)号:CN116448536A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202310378385.4

    申请日:2023-04-10

    IPC分类号: G01N1/44 G01N25/20 G01K7/02

    摘要: 本发明公开了一种用于固体材料高温发射率测量的样片加热装置及其测量方法,属于固体材料高温发射率测量技术领域,其中,该装置包括:电加热组件、传热板、待测样片A、待测样片B、样片盖、隔热支撑件、铝制外壳、水冷管道、热电偶和温控箱,电加热组件嵌入在传热板内;待测样片A和待测样片B分别放置在传热板两侧的槽中;样片盖覆盖在待测样片A和待测样片B上;隔热支撑件填充在传热板与铝制外壳之间;水冷管道设置在铝制外壳前后表面;热电偶设置在待测样片A表面中心处,电加热组件和热电偶均与温控箱相连,构成温度反馈调节回路。该装置能够消除热电偶测点和发射率测点间存在的差异,无需真空恒温环境或腔体即可达到很好的测温及控温效果。

    基于铟锑碲的可编程红外热发射调控器及其在热伪装中的应用方法

    公开(公告)号:CN115847946A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211461328.4

    申请日:2022-11-21

    摘要: 一种基于铟锑碲的可编程红外热发射调控器及其在热伪装中的应用方法,属于微纳光子器件技术领域。本发明针对现有光谱辐射特性可调器件的调控幅度小并且调控稳定性差的问题。调控器包括:每个正方形调控单体为四层平面叠层结构,包括依次从下至上的银金属层、砷化镓介质中间层、非晶相In3SbTe2相变材料层和砷化镓介质顶层,所述非晶相In3SbTe2相变材料层通过被激励源加热由中心开始向外围延伸形成圆柱形晶相In3SbTe2相变区间;圆柱形晶相In3SbTe2相变区间通过冷却由外围向中心转变为非晶相In3SbTe2相变材料层;多个正方形调控单体按对应位置的光谱发射率目标值进行圆柱形晶相In3SbTe2相变区间范围的调整。本发明用于目标环境热伪装。

    一种基于多层膜选择性发射器的热光伏系统及其制备方法

    公开(公告)号:CN115692532A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211408168.7

    申请日:2022-11-10

    摘要: 一种基于多层膜选择性发射器的热光伏系统及其制备方法,它属于热光伏发电领域。本发明要解决现有光伏电池吸收带隙与发射光谱不匹配造成热量损失的问题。基于多层膜选择性发射器的热光伏系统,它包括热源、热发射器、导热钢及光伏电池,且导热钢位于热源与热发射器之间;所述的热发射器为金属衬底和多层薄膜组成,且多层薄膜位于金属衬底表面;所述的多层薄膜为金属层和介质层交替组成。方法:在金属衬底表面沉积多层薄膜,得到热发射器,将热发射器固定于导热钢外围表面,最后将热源固定于导热钢中空内部。本发明用于基于多层膜选择性发射器的热光伏系统及其制备。