Invention Grant
- Patent Title: 高纯高强度氧化铝陶瓷基板及其制备方法
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Application No.: CN202211632257.XApplication Date: 2022-12-19
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Publication No.: CN115849885BPublication Date: 2023-09-19
- Inventor: 王明清 , 彭翔
- Applicant: 宜宾红星电子有限公司
- Applicant Address: 四川省宜宾市叙州区城北新区仁友路1号
- Assignee: 宜宾红星电子有限公司
- Current Assignee: 宜宾红星电子有限公司
- Current Assignee Address: 四川省宜宾市叙州区城北新区仁友路1号
- Agency: 成都虹桥专利事务所
- Agent 许泽伟
- Main IPC: C04B35/119
- IPC: C04B35/119 ; C04B35/622 ; C04B35/64
Abstract:
本发明公开了一种高纯高强度氧化铝陶瓷基板及其制备方法,属于电子陶瓷材料技术领域。本发明针对现有技术中陶瓷基板致密度较低、整体抗弯强度偏低等问题,提供了一种高纯高强度氧化铝陶瓷基板的制备方法,包括:将助熔剂、分散剂和混合溶剂A制备为粉浆体系A;将粉浆体系A、氧化铝和混合溶剂B制备为粉浆体系B;将粘接剂、增塑剂和混合溶剂C制备为预溶胶;将粉浆体系B和预溶胶制备为流延浆料;然后流延浆料依次经脱泡、流延成型和排胶,1450~1520℃烧结,得氧化铝陶瓷基板。本发明通过引入Nb2O5‑MgO‑ZrO2复合烧结助剂,在较低温度下制备出高致密度、高强度和断裂韧性的陶瓷烧结体。
Public/Granted literature
- CN115849885A 高纯高强度氧化铝陶瓷基板及其制备方法 Public/Granted day:2023-03-28
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IPC分类: