本发明请求保护一种基于三路径的高线性度栅压自举开关，属于模拟集成电路设计技术领域。为了防止PMOS管源极—衬底正向偏置，将其衬底端和源极相连，但是会增加N阱寄生电容Cnwell对电路采样造成影响。利用第一电容C1与PMOS管M10和第二电容C2和PMOS管M11分别组合成两条主路径，第三电容C3和PMOS管M12组合成辅助路径。PMOS管M10的衬底和PMOS管M7的衬底以及PMOS管M11的衬底和PMOS管M6的衬底都与PMOS管M12的衬底相连，输入信号在通过两条主路径传输到开关管栅端的时候不仅可以加快栅端电压的建立，还能省去Cnwell加载这一环节，而用剩下的辅助路径去驱动Cnwell，从而提高电路整体信号的线性度。