- 专利标题: 一种镧镁共掺杂的富锂锰基正极材料及其制备方法
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申请号: CN202310053271.2申请日: 2023-02-02
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公开(公告)号: CN115924997B公开(公告)日: 2024-05-28
- 发明人: 邓文辉 , 王凤 , 王江 , 邓健秋 , 刘梦媛 , 刘鹏
- 申请人: 桂林电子科技大学
- 申请人地址: 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
- 专利权人: 桂林电子科技大学
- 当前专利权人: 桂林电子科技大学
- 当前专利权人地址: 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
- 代理机构: 广西中知华誉知识产权代理有限公司
- 代理商 梁秀新
- 主分类号: H01M4/505
- IPC分类号: H01M4/505
摘要:
本发明公开了一种镧镁共掺杂的富锂锰基正极材料及其制备方法,通过共沉淀反应制备前驱体,洗涤干燥后进行配锂烧结,制备富锂锰基正极材料。本方法制备的富锂锰基正极材料实现镧镁均匀掺杂,实现增加层状材料的层间距,有效抑制锂镍阳离子混排,稳定层状结构,增强电子电导,提高材料表面致密度,减少电解液副产物的侵蚀,进而获得优良的首圈库伦效率和循环稳定性以及5C大电流条件下的倍率性能,而且本发明通过镧镁原位共掺杂,可以在不大规模改动原有生产线的情况下进行富锂锰基正极材料的生产,具有很广泛的生产应用前景。
公开/授权文献
- CN115924997A 一种镧镁共掺杂的富锂锰基正极材料及其制备方法 公开/授权日:2023-04-07