公开(公告)号：CN115924997A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202310053271.2

申请日：2023-02-02

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 邓文辉 ,  王凤 ,  王江 ,  邓健秋 ,  刘梦媛 ,  刘鹏

IPC分类号： C01G53/00 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/525 ,  H01M4/505

摘要： 本发明公开了一种镧镁共掺杂的富锂锰基正极材料及其制备方法，通过共沉淀反应制备前驱体，洗涤干燥后进行配锂烧结，制备富锂锰基正极材料。本方法制备的富锂锰基正极材料实现镧镁均匀掺杂，实现增加层状材料的层间距，有效抑制锂镍阳离子混排，稳定层状结构，增强电子电导，提高材料表面致密度，减少电解液副产物的侵蚀，进而获得优良的首圈库伦效率和循环稳定性以及5C大电流条件下的倍率性能，而且本发明通过镧镁原位共掺杂，可以在不大规模改动原有生产线的情况下进行富锂锰基正极材料的生产，具有很广泛的生产应用前景。

公开(公告)号：CN115924997B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202310053271.2

申请日：2023-02-02

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 邓文辉 ,  王凤 ,  王江 ,  邓健秋 ,  刘梦媛 ,  刘鹏

IPC分类号： H01M4/505

摘要： 本发明公开了一种镧镁共掺杂的富锂锰基正极材料及其制备方法，通过共沉淀反应制备前驱体，洗涤干燥后进行配锂烧结，制备富锂锰基正极材料。本方法制备的富锂锰基正极材料实现镧镁均匀掺杂，实现增加层状材料的层间距，有效抑制锂镍阳离子混排，稳定层状结构，增强电子电导，提高材料表面致密度，减少电解液副产物的侵蚀，进而获得优良的首圈库伦效率和循环稳定性以及5C大电流条件下的倍率性能，而且本发明通过镧镁原位共掺杂，可以在不大规模改动原有生产线的情况下进行富锂锰基正极材料的生产，具有很广泛的生产应用前景。

公开(公告)号：CN113224310A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110525350.X

申请日：2021-05-12

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 王凤 ,  邓文辉 ,  王江 ,  邓健秋 ,  王仲民 ,  刘嘉庚 ,  周怀营

IPC分类号： H01M4/62 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/0525

摘要： 本发明公开了一种利用Al(PO3)3包覆NCM811正极材料及其制备方法。具体方案为：将商用NCM811和Al(PO3)3粉末干法研磨至颗粒细度适中，分布均匀后，在300℃‑500℃温度下进行烧结，经保温一段时间再自然降温，待粉体取出，得到掺杂包覆了Al(PO3)3的高镍三元正极材料。制备过程中使用的原材料价格比较便宜，并且取材容易，制备过程绿色环保，经Al(PO3)3包覆的NCM811能有效改善材料的容量和倍率性能、循环稳定性，以及该方法在工业上具备很强的生产适应能力。