本申请涉及半导体光刻工艺领域，特别是涉及一种图形边界缺陷处理方法包括：获取待处理图形，待处理图形包括器件单元图形及背面图形，器件单元图形内及至少部分背面图形内具有Sbar标记；选取具有Sbar标记的背面图形及与选取的背面图形临接的器件单元图形；选取的背面图形及器件单元图形位于相邻的不同图层；将选取的背面图形提至与选取的器件单元图形位于同一图层，以得到待修正图形；自所述待修正图形中筛选出与设计规则相违背的Sbar标记并进行修正。本方法可有效检查出全耗尽型绝缘体上硅FDSOI因背面层次结构引起的缺陷，在光罩制作之前就把问题解决，从而节省开发资源与时间。避免了层次结构错误而检查不出来造成晶圆上的缺陷。