本发明涉及半导体技术领域，具体地说，涉及一种提高放大器芯片散热性能的晶体管电路及优化方法；首先通过进行初步电路设计，在热模型中设置散热影响要素的参数进行仿真分析，计算出初始的晶体管结温和热源热影响区域范围；然后改变散热影响要素的参数，得到新的晶体管结温；最后对比晶体管结温，判断放大器芯片散热指标是否合格；若不合格，重复调整散热影响要素的参数，直至放大器芯片散热指标合格，得到散热影响要素优化后的参数；实现了放大器芯片晶体管电路结构的优化设计，改善了功率放大器芯片的散热能力，提高了芯片的高温工作性能指标和芯片长期工作的可靠性。