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公开(公告)号：CN116915193B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311163194.2
申请日：2023-09-11
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及射频前端技术领域，具体地说，涉及一种高线性度高输出功率的毫米波可重构功率放大器；在差分共源共栅单元的基础上设置输入输出可重构巴伦单元完成工作频段的切换，在满足多频段同时工作需求的同时，节约了芯片的面积；通过设置自适应偏置单元动态调节差分共源共栅单元的共栅管的直流偏置，提升了功率放大器的线性度；并通过设置增益补偿单元来补偿高输入功率下增益压缩的情况，进一步改善了功率放大器线性度。
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公开(公告)号：CN116505884B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310755848.4
申请日：2023-06-26
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及射频前端技术领域，具体地说，涉及一种宽频带Doherty功率放大器；本发明采用输出匹配网络2b取代四分之一波长传输线，通过调节第一谐振腔与第二谐振腔之间的位置将负载阻抗直接进行阻抗变换；采用宽带补偿网络取代补偿线，并根据第一谐振腔和第二谐振腔的中心位置，调节宽带补偿网络的移相频率点位置，得到在宽频带内高阻抗的辅助放大单元，抑制主放大单元在低功率输出时的功率泄露，提升了Doherty功率放大器的工作带宽。
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公开(公告)号：CN116455359A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310708109.X
申请日：2023-06-15
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
IPC分类号： H03H17/00
摘要： 本发明涉及射频芯片技术领域，具体地说，涉及一种宽带数控延时线；通过设置第一延时单元，生成延时特性随频率增加而下降的第一延时信号；设置第二延时单元，生成延时特性随频率增加而上升的第二延时信号，并根据第二延时信号补偿第一延时信号，两部分的延时特性相互补偿后，得到一个宽带延时特性的延时线；在此基础上，增加频率监测控制单元和自适应宽带补偿单元，通过监测工作频率的变化，自适应调整延时单元中接入整个延时线芯片电容大小，从而补偿实际电路中电感的电感量随频率增加而变大的特性，抑制延时线工作频率偏移，显著提升了延时线的工作带宽。
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公开(公告)号：CN116366009A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310618237.5
申请日：2023-05-30
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及射频前端技术领域，具体地说，涉及一种高温度稳定性的射频功率放大器；通过在射频放大单元的基础上增设功率补偿单元补偿射频放大单元晶体管Q6b的基极与发射极之间的电压差，抑制了射频功率放大器的线性度，实现了跨导恒定；增设第一温度补偿单元补偿第一温度补偿单元在偏置条件下的功率输出特性，向第二温度补偿单元输出补偿后的电流；增设第二温度补偿单元根据生成的第三电流调节晶体管Q6b的基极电流，抑制晶体管Q6b的基极电流增大；抑制了射频功率放大器输出1dB压缩点随温度变化而产生的波动。
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公开(公告)号：CN116073770B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310274518.3
申请日：2023-03-21
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本申请实施例提供一种HBT功率放大器和电子设备，涉及射频前端技术领域。该HBT功率放大器在传统HBT功率放大器基础上，在自适应偏置结构上增加温度补偿单元。温度补偿单元中的二极管单元的导通电压随温度增加而不断降低，使加载偏置结构的电压变化随温度增加而增加，最终补偿HBT晶体管Q1b增益随温度变化的变化率。可以显著降低高低温状态下随着环境温度的变化HBT功率放大器的增益波动。
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公开(公告)号：CN116073770A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310274518.3
申请日：2023-03-21
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本申请实施例提供一种HBT功率放大器和电子设备，涉及射频前端技术领域。该HBT功率放大器在传统HBT功率放大器基础上，在自适应偏置结构上增加温度补偿单元。温度补偿单元中的二极管单元的导通电压随温度增加而不断降低，使加载偏置结构的电压变化随温度增加而增加，最终补偿HBT晶体管Q1b增益随温度变化的变化率。可以显著降低高低温状态下随着环境温度的变化HBT功率放大器的增益波动。
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公开(公告)号：CN115913138A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310160114.1
申请日：2023-02-24
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本申请提供一种偏置电路、功率放大器和电子设备，所述偏置电路用于向功率放大器提供偏置电流，包括：输入电流支路，与供电电源连接，所述输入电流支路用于根据所述供电电源产生第一电流；输出电流支路，与所述输入电流支路连接，用于根据所述第一电流输出偏置电流；偏置电流补偿单元，与所述输入电流支路及所述供电电源连接，所述偏置电流补偿单元，用于调节所述第一电流，以保证在所述供电电源波动时，所述偏置电流保持不变。通过上述方案，保证功率放大器中的射频晶体管电性能不会因供电电源输入的偏置电压的波动发生较大变化。
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公开(公告)号：CN115882790A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310091816.9
申请日：2023-02-10
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
IPC分类号： H03F1/00 , H01L23/528 , H03F1/56 , H02J50/10 , H02J50/00
摘要： 本发明涉及芯片布局领域，具体地说，涉及一种放大器芯片输出电路、供电方法、芯片及电子设备；通过在第一金属层上布设输出匹配电路，实现阻抗变换和功率合成；在放大器芯片的第二金属层上布设输出供电电路，将扼流线圈的输入端与电源耦合，输出端与末级放大器的集电极耦合，用于向所述放大器芯片末级管芯供电；大幅提升了供电扼流线圈的通流能力，避免供电扼流线圈在大信号工况以及耐功率实验测试时烧毁的情况；同时能够有效减小功率放大器芯片的面积，提高芯片面积的利用率。
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公开(公告)号：CN114117995B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210076415.1
申请日：2022-01-24
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
IPC分类号： G06F30/392 , G06F30/23 , H01L27/02 , G06F119/14
摘要： 本发明提出了一种基于人工智能算法的封装芯片加工方法，通过对加工过程的区域进行划分，并对通孔进行调整，避免在加工通孔时容易出现芯片损坏的地方制造通孔，提高了芯片的抗应力性能，同时也提高了芯片的成品率。本发明通过将识别通过的算法植入设计软件，对通孔设计是否合理实现自动化筛查，设计阶段排除导致裂片等缺陷的通孔布置，大大提高芯片设计成功率及可靠性，降低后期生产流程中由于不合理通孔设计导致的多次更新设计、多次流片的时间、设计及生产成本。通过该算法的运用可以提高产品成品率及用户端的可靠性表现、缩短产品出货周期。
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公开(公告)号：CN113659932B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111225155.1
申请日：2021-10-21
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本发明提出了一种高频高功率的SOI射频收发开关，包括接收通路输入端RX、接收串联支路、接收并联支路、发射串联支路、发射并联支路、发射通路输出端TX、第一控制电压模块、第二控制电压模块和天线输入端ANT；所述接收通路输入端RX、接收串联支路、发射串联支路和发射通路输出端TX依次连接；所述接收并联支路接地后搭接在接收通路输入端RX和接收串联支路之间；所述发射并联支路接地后搭接在发射通路输出端TX和发射串联支路之间；在所述发射并联支路内还设置有电压平均网络，所述发射并联支路通过电压平均网络与第二控制电压模块连接；所述发射串联支路与所述第一控制电压模块连接。
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