Invention Publication
CN115968194A 半导体存储器装置
审中-实审
- Patent Title: 半导体存储器装置
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Application No.: CN202211006321.3Application Date: 2022-08-22
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Publication No.: CN115968194APublication Date: 2023-04-14
- Inventor: 李玟浚 , 金容锡 , 金炫哲 , 朴种万 , 禹东秀 , 李炅奂
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道水原市
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道水原市
- Agency: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- Agent 陈晓博; 杨帆
- Priority: 10-2021-0134279 20211008 KR
- Main IPC: H10B12/00
- IPC: H10B12/00 ; H10B53/30 ; H10B53/40
Abstract:
公开了半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括基底、在基底上在第一方向上延伸的多条源极线、与源极线交叉并且在不同于第一方向的第二方向上延伸的多条字线、与源极线和字线交叉并且在不同于第一方向和第二方向的第三方向上延伸的多条位线以及设置在源极线、字线和位线之间的交点处的多个存储器单元。第一方向、第二方向和第三方向平行于基底的顶表面。
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