发明公开
- 专利标题: 一种基于氧化铋/ZnO异质结的自驱动紫外探测器及其制备方法
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申请号: CN202211678476.1申请日: 2022-12-26
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公开(公告)号: CN115985691A公开(公告)日: 2023-04-18
- 发明人: 高世勇 , 容萍 , 王金忠 , 张晓雷 , 任帅 , 杨锦程
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨龙科专利代理有限公司
- 代理商 王新雨
- 主分类号: H01G9/20
- IPC分类号: H01G9/20
摘要:
一种基于氧化铋/ZnO异质结的自驱动紫外探测器及其制备方法,属于半导体探测材料及其制备技术领域。所述紫外探测器的探测材料为Bi2O3薄膜/ZnO纳米棒阵列异质结,所述ZnO纳米棒阵列垂直于Bi2O3薄膜生长,基于其制备了光电化学型和结构简单的异质结自驱动探测器。此外,通过磁控溅射技术沉积的Bi2O3薄膜作为异质结的一部分,同时又将其作为导电电极,制备了结构更为简单的自驱动紫外探测器。所制备探测器均可在室温下对紫外光实现有效探测,且能够在无外加偏压下工作。本发明采用的方法具有工艺简单、成本低廉和环境友好等优点,且适合大规模工业化生产,在光电领域中具有很大的应用前景。