公开(公告)号：CN115985691A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211678476.1

申请日：2022-12-26

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 高世勇 ,  容萍 ,  王金忠 ,  张晓雷 ,  任帅 ,  杨锦程

IPC分类号： H01G9/20

摘要： 一种基于氧化铋/ZnO异质结的自驱动紫外探测器及其制备方法，属于半导体探测材料及其制备技术领域。所述紫外探测器的探测材料为Bi2O3薄膜/ZnO纳米棒阵列异质结，所述ZnO纳米棒阵列垂直于Bi2O3薄膜生长，基于其制备了光电化学型和结构简单的异质结自驱动探测器。此外，通过磁控溅射技术沉积的Bi2O3薄膜作为异质结的一部分，同时又将其作为导电电极，制备了结构更为简单的自驱动紫外探测器。所制备探测器均可在室温下对紫外光实现有效探测，且能够在无外加偏压下工作。本发明采用的方法具有工艺简单、成本低廉和环境友好等优点，且适合大规模工业化生产，在光电领域中具有很大的应用前景。