发明授权
- 专利标题: 高精度的薄膜电阻装置及其制备方法
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申请号: CN202310041671.1申请日: 2023-01-28
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公开(公告)号: CN116053261B公开(公告)日: 2023-06-20
- 发明人: 刘尧 , 刘筱伟 , 杨超 , 尹杰 , 段花花 , 刘森
- 申请人: 微龛(广州)半导体有限公司
- 申请人地址: 广东省广州市高新技术产业开发区科学大道18号A栋十一层1101单元
- 专利权人: 微龛(广州)半导体有限公司
- 当前专利权人: 微龛(广州)半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省广州市高新技术产业开发区科学大道18号A栋十一层1101单元
- 代理机构: 上海光华专利事务所
- 代理商 罗泳文
- 主分类号: H01L23/64
- IPC分类号: H01L23/64 ; H01L23/367 ; H10N97/00
摘要:
本发明提供一种高精度的薄膜电阻装置及其制备方法,本发明通过在薄膜电阻下方设置隔离沟槽,利用隔离沟槽中设置的导热复合结构,使所述薄膜电阻与所述导热复合结构发生热交换,所述导热复合结构进一步通过其与散热孔形成导热接触将热量疏散,有效提高薄膜电阻周边环境的导热效率;通过设置散热孔及其内部设置有导热性良好的金属,薄膜电阻的周围提供额外的热耗散通道,使得薄膜电阻的工作温度保持在低温度漂移的环境下,还能够抑制大负载的持续时间内薄膜电阻的阻值漂移,从而减少薄膜电阻精度下降导致的转换电路精度以及分辨率下降。
公开/授权文献
- CN116053261A 高精度的薄膜电阻装置及其制备方法 公开/授权日:2023-05-02
IPC分类: