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公开(公告)号：CN116938245A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311198948.8
申请日：2023-09-18
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种模数转换器校准方法及模数转换器，包括：分别测量比较器的正向输入端以及反向输入端的第一误差电压以及第二误差电压，基于第一误差电压及第二误差电压做差计算得到所述模数转换器的电容阵列误差电压以及所述电容阵列误差电压的极性，向所述比较器相反极性的输入端提供与所述电容阵列误差电压大小相等的校准电压，进而校准所述模数转换器的电压误差。本发明通过了将比较器的两输入端的电容器做分别切换，进而将各边位电容的误差均统计在单边误差电压中，再直接基于两边的误差电压做差进而消除掉共同的比较器失调电压，从而实现了模数转换器的校准。
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公开(公告)号：CN115001422A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210838861.1
申请日：2022-07-18
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种预放大器，包括：第一输入管、第二输入管、第一负载电容、第二负载电容、第一开关、第二开关、第三开关及第四开关；第一输入管及第二输入管的栅端连接差分输入信号，第一输入管及第二输入管的源端接地，第一输入管的漏端通过串联的第一开关和第三开关连接电源电压，第二输入管的漏端通过串联的第二开关和第四开关连接电源电压，第一负载电容连接于第一开关与第三开关的连接节点和地之间，第二负载电容连接于第二开关与第四开关的连接节点和地之间，第一开关与第三开关的连接节点及第二开关与第四开关的连接节点作为预放大器的差分输出端。通过本发明提供的预放大器，解决了现有预放大器无法满足高速、低噪声、低功耗要求的问题。
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公开(公告)号：CN114582859B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210477980.9
申请日：2022-05-05
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种用于薄膜晶体管的ESD防护器件结构及制备方法，提供自下而上依次叠置衬底、第一绝缘层、中间层、第二绝缘层及器件层的基底，并在衬底中形成与第一绝缘层相接触的第一导电类型层及第二导电类型层，从而通过第一导电类型层及第二导电类型层将ESD防护二极管制备于衬底，以在衬底中形成一个PN结，该PN结可对后续工艺中在器件层中制备的薄膜晶体管电路进行ESD防护，且由于薄膜晶体管基本属于低温工艺，因此后续薄膜晶体管的制备工艺不会对衬底中的PN结造成性能退化，进一步的，在ESD发生时，中间层还可屏蔽PN结泄放电流对薄膜晶体管的影响，从而可有效解决薄膜晶体管的ESD防护器件结构的耐压问题。
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公开(公告)号：CN114204942B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210135195.5
申请日：2022-02-15
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H03M1/46
摘要： 本发明提供一种逐次逼近型模数转换器及转换方法，包括：第一、第二数模转换模块分别接收正相输入信号及反相输入信号，并数模转换；差分比较模块，将第一、第二数模转换模块的输出信号比较，输出第一比较结果；第一校验比较模块，将第一数模转换模块的输出信号与共模电压比较，并输出第二比较结果；第二校验比较模块，将第二数模转换模块的输出信号与共模电压比较，并输出第三比较结果；数字逻辑控制模块，基于第一、第二、第三比较结果产生转换结果及开关切换信号。本发明允许比较器在数模转换单元电压建立不完全时转换，压缩转换时间，提高转换速度；同时可以抑制单个比较器本身的随机误差和亚稳态，也达到了提高转换精度的效果。
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公开(公告)号：CN114124094B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210083130.0
申请日：2022-01-25
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种模数转换器及权重电容校准方法，包括：逐次逼近型模数转换模块，接收输入信号，并对所述输入信号进行模数转换；锁频环模块，连接所述逐次逼近型模数转换模块中各权重电容单元，分别测量各权重电容的容值，并产生相应的频率信号；计数控制模块，连接于所述锁频环模块的输出端，并接收参考时钟，基于所述参考时钟对所述频率信号计数并产生对应权重控制信号，以对所述逐次逼近型模数转换模块中各权重电容的容值进行校准。本发明对各权重电容的容值大小进行间接测试后进行补偿，权重电容的准确性高；通过参考时钟实现准确测量极校准信息的及时更新，精度高；基于闭环操作实现自动校准。
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公开(公告)号：CN114204942A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202210135195.5
申请日：2022-02-15
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H03M1/46
摘要： 本发明提供一种逐次逼近型模数转换器及转换方法，包括：第一、第二数模转换模块分别接收正相输入信号及反相输入信号，并数模转换；差分比较模块，将第一、第二数模转换模块的输出信号比较，输出第一比较结果；第一校验比较模块，将第一数模转换模块的输出信号与共模电压比较，并输出第二比较结果；第二校验比较模块，将第二数模转换模块的输出信号与共模电压比较，并输出第三比较结果；数字逻辑控制模块，基于第一、第二、第三比较结果产生转换结果及开关切换信号。本发明允许比较器在数模转换单元电压建立不完全时转换，压缩转换时间，提高转换速度；同时可以抑制单个比较器本身的随机误差和亚稳态，也达到了提高转换精度的效果。
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公开(公告)号：CN114124039A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202210103904.1
申请日：2022-01-28
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H03J1/00 , H04B10/291
摘要： 本发明提供一种频率峰值调谐电路及系统，所述频率峰值调谐电路包括：峰化电感、峰化电容及调谐开关管；其中，所述峰化电感的第一端连接所述峰化电容的第一端并接入工作电压，所述峰化电感的第二端连接所述调谐开关管的第一连接端并作为调谐接入端；所述调谐开关管的第二连接端连接所述峰化电容的第二端，控制端接入调谐栅压。通过本发明提供的频率峰值调谐电路及系统，解决了现有电感峰化技术无法实现放大器频率峰值可调的问题。
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公开(公告)号：CN114121940A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111412507.4
申请日：2021-11-25
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明提供一种触发电压可调的ESD保护器件及其制作方法，所述ESD保护结构包括：具有第一导电类型的深阱和功能器件层，所述功能器件层位于所述深阱内，并且所述功能器件层包括：第二导电类型的体区；第一导电类型的源极和漏极；栅结构，设置于所述体区的表面上；开口部，所述开口部限定于所述栅结构与所述漏极之间，所述开口部下方还设置有轻掺杂漏区；当静电正电流的涌入使所述源极与沟道区以下的所述体区之间达到开启阈值电压时，引发所述寄生NPN双极晶体管导通。本发明还提供一种触发电压可调的ESD保护器件的制作方法，通过所述方法制作的所述功能器件层位于深阱内，可以与实际CMOS三阱工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN113629052B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111184749.2
申请日：2021-10-12
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L21/8249
摘要： 本发明提供一种触发电压可调的ESD保护器件及其制备方法，所述ESD保护结构包括：第一导电类型的深阱和功能器件层，所述功能器件层位于所述深阱内，并且所述功能器件层包括：第二导电类型的体区；第一导电类型的源极和漏极，所述源极上设置有隔离层；栅结构和开口部，所述开口部设置于所述体区内且位于所述栅结构与所述漏极之间；当静电正电流涌入时，所述体区的电势升高，使得在所述源极与所述体区之间达到开启阈值电压，引起寄生NPN双极晶体管导通；通过调节所述开口部的宽度，可以实现对触发电压的调制。本发明还提供一种触发电压可调的ESD保护器件的制备方法，其中所述功能器件层形成于深阱内，可以与实际CMOS三阱工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN113903707A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111503483.3
申请日：2021-12-10
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/762 , H01L23/373
摘要： 本发明公开了一种三维单片集成电路结构及其制备方法，属于集成电路领域。本发明所述三维单片集成电路结构的制备方法在器件层间隙设置空洞，并在空洞中引入具有高散热性的碳纳米管材料作为散热基体，不仅契合器件层低温键合的温度要求，提升整体集成电路的散热性能，同时通过结构设计将器件层以STI层隔离在独立硅岛中，不会导致电路设计和集成电路结构制备的复杂程度提升；所述方法可根据生产应用需求制备多层含碳纳米管薄膜结构的三维单片集成电路结构，施工性强且可靠性高。本发明还公开了所述三维单片集成电路结构的制备方法制备得的三维单片集成电路结构。
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