本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种背接触电池及其制作方法和光伏组件，包括具有正面和背面的硅基底，设置在背面的具有第二半导体开口区的第一半导体层，以及第二半导体层，还包括沿背面X轴方向间隔排布的若干绝缘层，所述绝缘层设置在所述第二半导体层的外表面上；且在X轴方向上，所述绝缘层横跨第二半导体开口区的侧面边缘且两端分别延伸，且所述绝缘层在第二半导体开口区上的横跨长度W12，所述绝缘层在第一半导体层上的横跨长度W11，满足W12：W11=0.1‑10：1。本发明的背接触电池能够同时兼顾有效避免在第二半导体开口区处的侧面边缘出现的漏电现象、优异的电池效率及电池良率和制备工艺简单。