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公开(公告)号：CN118969880A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411449320.5
申请日：2024-10-17
申请人： 福建金石能源有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/20 , H01L31/0312 , H01L31/0392 , H01L31/0288
摘要： 本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有特定P型发射极的联合钝化背接触电池及制作和应用，第二半导体层还包含在第一本征非晶硅层外表面依次设置的氢化微晶碳化硅、P型微晶硅膜，形成P型发射极，且在沿远离硅片背面的方向上，P型微晶硅膜的有效掺硼浓度按照分层结构逐渐递增，分层结构大于3层；其中，氢化微晶碳化硅的晶化率为40%‑80%，氢化微晶碳化硅中以原子百分数计的氢含量为10%‑30%，氢化微晶碳化硅与P型微晶硅膜的晶化率之比为1：0.5‑1.2。本发明能够有利于促进光生载流子的快速分离，减少复合，提升电池的开路电压，有利于提升载流子的收集效率，有利于提升电池的填充因子，进而提升电池转换效率。
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公开(公告)号：CN118969878A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411449318.8
申请日：2024-10-17
申请人： 福建金石能源有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/20 , H01L31/0312 , H01L31/0392 , H01L31/0288
摘要： 本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有特定P型发射极的背接触电池及制作和应用，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包含钝化层和N型掺杂硅层，第二半导体层包含本征硅层，第二半导体层还包含在本征硅层的远离硅片的一侧表面上依次设置的P型微晶碳化硅层和P型微晶硅层，形成P型发射极，沿远离硅片背面的方向上，P型微晶碳化硅层和/或P型微晶硅层的有效掺硼浓度按照分层结构逐渐递增，分层结构不低于5层，P型微晶碳化硅层的厚度为3‑6nm。本发明采用特定结构的P型发射极，有利于提升电池的开路电压，提升薄膜导电性，提升电池的填充因子和转换效率。
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公开(公告)号：CN118969871A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411448760.9
申请日：2024-10-17
申请人： 福建金石能源有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/18
摘要： 本发明的实施例提供了一种无主栅背接触电池、电池模组及制备方法，涉及背接触电池技术领域。该无主栅背接触电池包括电池片、多个用于收集第一极性的第一细栅线以及多个用于收集第二极性的第二细栅线，多个第一细栅线和多个第二细栅线沿电池片的宽度方向依次交替排布，第一细栅线和第二细栅线的长度基本一致，不需要设置折线，也不需要设置主栅，第一细栅线和第二细栅线均具有断开区域，断开区域用于和焊带配合，断开区域的宽度范围为1mm‑5mm，从而为焊带的安装预留出足够的公差，避免焊带和第一细栅线或第二细栅线接触从而出现短路现象。
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公开(公告)号：CN118507546A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410955587.5
申请日：2024-07-17
申请人： 福建金石能源有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种高短路电流的背接触电池及其制备方法和光伏组件，涉及背接触电池技术领域。该高短路电流的背接触电池包括硅片以及在硅片的正面依次设置的氧化层和减反层，氧化层靠近减反层的一侧设置有掺磷掺氢区域，其中，掺磷掺氢区域的深度为1.6nm‑3nm，磷掺杂浓度为1e18cm‑3‑5e18cm‑3，氢原子含量为5e18cm‑3‑8e18cm‑3。本发明提供的高短路电流的背接触电池能够提供场钝化效果，钝化表面缺陷，提高钝化水平，使得背接触电池保持较高的开路电压，并且取消N型多晶硅层/N型非晶硅层，能够将光学损耗降至最低，使得背接触电池具有较高的短路电流。
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公开(公告)号：CN118412388A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202310081939.4
申请日：2023-01-28
申请人： 福建金石能源有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/20 , G03F7/20
摘要： 本发明公开一种异质结太阳能电池的铜电极制备方法，采用N型硅片作为衬底，经过双面制绒、双面沉积非晶硅层形成PN结、双面沉积透明减返导电膜、双面沉积金属种子层，在双面金属种子层表面覆盖第一层感光膜，经过第一次曝光后，在正面第一层感光膜表面继续覆盖第二层感光膜，在正面第一次曝光的图形重合位置继续完成第二次曝光，经过显影工艺洗掉栅线图形区域，形成凹槽，露出凹槽底部的金属种子层，经过电镀铜工艺形成铜金属栅线，再采用退膜液去除栅线区域之外的感光膜，最后蚀刻栅线区域外的金属种子层，保留铜电极栅线，解决了提高正面栅线高宽比低的工艺难题，可以实现正面栅线又高又窄的目的，提高电池效率。
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公开(公告)号：CN117878163A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410220756.0
申请日：2024-02-28
申请人： 福建金石能源有限公司
发明人： 吴延平
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/05 , H01L31/048 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳能光伏领域，公开了一种XBC太阳能电池片隐藏式汇流连接结构，包括若干XBC太阳能电池片、汇流条、绝缘膜和若干条焊带。其中，汇流条隐藏设置于XBC太阳能电池片的下方，并与两片连接汇流的电池片上所有焊带进行电性连接。绝缘膜上设置有用于露出焊带的若干槽口。绝缘膜设置于汇流条与XBC太阳能电池片之间，用于隔离汇流条除焊带所在位置以外的部位与电池片接触。本发明还公开了一种隐藏汇流条的XBC太阳能光伏组件和制作方法，组件中的XBC太阳能电池串之间的汇流连接采用上述的连接结构连接。本发明可在不影响电池片汇流能力的前提下，提高太阳能组件转换效率，甚至可以减小玻璃和胶膜尺寸，进而节约成本。
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公开(公告)号：CN117755808A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410083241.0
申请日：2024-01-19
申请人： 福建金石能源有限公司
摘要： 本发明涉及一种镂空载板的自动上下料设备，包括硅片上料传输段及硅片下料传输段；所述硅片上料传输段包括上料段机架、花篮上料机构、掏片机构、第一踏步皮带传输机构、第一龙门夹爪机构及第一载板传输机构：所述硅片下料传输段包括下料段机架、花篮下料机构、插片机构、第二踏步皮带传输机构、第二龙门夹爪机构及第二载板传输机构；通过载板上下料的传动方式，实现自动化上下料，减少人工投入，降低劳动强度，提高生产效率，提高生产良率，采用整线方案，其优势在于显著缩短GW级产线长度，减小占用空间，解决厂务资源。
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公开(公告)号：CN117637432A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311674501.3
申请日：2023-12-08
申请人： 福建金石能源有限公司
摘要： 本发明涉及PECVD设备领域，公开了一种适用于PECVD设备的多射频电源输入系统，其包括射频电源、多路射频电源控制器和射频电源馈入点。射频电源设置有两个及以上。多路射频电源控制器上设置有多个连接端口，连接端口分别与各个射频电源一一连接，用于独立控制各个射频电源启停以及调节各射频电源输出射频终端的相位、频率大小。射频电源馈入点位于设备腔室的极板上，并与射频电源的输出端一对一电性连接。本发明将多个低功率射频电源连接到极板的各个腔室馈入点上，叠加输出高功率射频到PECVD腔室，从而使腔室起辉，实现镀膜的效果。相比于使用单个高功率射频电源，具有镀膜更均匀、应用端更成熟、成本低的优势。
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公开(公告)号：CN117594708A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311568450.6
申请日：2023-11-23
申请人： 福建金石能源有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0224 , H01L31/0747
摘要： 本发明公开了一种异质结太阳电池的制作方法及太阳电池，包括：在硅片的表面清洗制绒并沉积非晶硅层、透明导电层和金属导电层；通过电镀在金属导电层制作电极栅线，以及通过激光刻划掉所述金属导电层表面剩余的掩膜，并采用竖直蚀刻电极栅线之外的所述金属导电层，以及竖直干燥。本发明对太阳电池制作工艺进行优化，采用激光刻划掩膜的去掩膜方式，垂直浸泡式蚀刻方式，垂直吹烘干方式，提高线宽窄的铜栅异质结电池制作良品率，从而制作出成本低，良率高，电极导电性好，转换效率高的铜栅异质结太阳电池。
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公开(公告)号：CN117096222B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311353168.6
申请日：2023-10-19
申请人： 福建金石能源有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/02 , H01L31/0216 , C23C14/08 , C23C16/40
摘要： 本发明属于背接触电池制备技术领域，具体涉及一种正面不设置掺杂硅晶层的联合钝化背接触电池及制备方法，方法包括：S101、在双面抛光的硅片背面依次形成第一半导体层、掩膜层；S102、在背面进行第一刻蚀开口，形成第二半导体开口区；S103、通过制绒清洗；S104、在正面沉积第一本征非晶硅层，并在背面沉积第二半导体层；S105、在背面的第二半导体层上进行第二刻蚀开口；S106、在背面采用磁控溅射工艺沉积第二透明导电膜层，并在正面直接沉积第一透明导电膜层。本发明能够有效避免电池产生PID效应而导致的功率衰减问题，能减少一次PECVD镀膜，有效降低正面反射率、反射损耗，膜层质量高，提高转换效率。
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