发明公开
- 专利标题: 一种电容隔离芯片静电可靠性测试方法及系统
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申请号: CN202210658166.7申请日: 2022-06-10
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公开(公告)号: CN116087741A公开(公告)日: 2023-05-09
- 发明人: 熊素琴 , 李求洋 , 邹和平 , 李扬 , 赵兵 , 林繁涛 , 杨君中 , 杨森 , 成达 , 高天予 , 陈思禹 , 许佳佳 , 李龙涛 , 赵越 , 岳云奇 , 赵立涛 , 杨巍
- 申请人: 中国电力科学研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司泰州供电分公司
- 申请人地址: 北京市海淀区清河小营东路15号;
- 专利权人: 中国电力科学研究院有限公司,国网江苏省电力有限公司泰州供电分公司
- 当前专利权人: 中国电力科学研究院有限公司,国网江苏省电力有限公司泰州供电分公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清河小营东路15号;
- 代理机构: 北京工信联合知识产权代理有限公司
- 代理商 姜丽辉
- 主分类号: G01R31/28
- IPC分类号: G01R31/28 ; G01R31/00 ; G01N21/95
摘要:
本发明公开了一种电容隔离芯片静电可靠性测试方法及系统。其中,电容隔离芯片静电测试方法,其特征在于,包括:通过外观检测装置对待测试的电容隔离芯片进行检测;在电容隔离芯片外观正常的情下,通过电性检测工具对电容隔离芯片进行电性经测试;在电容隔离芯片电性正常的情下,利用预先设置的电容隔离芯片静电测试系统对电容隔离芯片进行静电测试,确定电容隔离芯片的电流‑电压曲线;根据电流‑电压曲线,判定电容隔离芯片是否损伤;在电容隔离芯片在没有损伤的情况下,通过外观检测装置对电容隔离芯片进行二次外观检测,生成电容隔离芯片的静电可靠性测试报告。解决现有技术中存在的无法快速准确评价I C产品的抗静电打击能力的技术问题。