本发明提供一种mini LED芯片接触电极及制备方法，mini LED芯片接触电极包括欧姆接触层及设置于欧姆接触层顶部的阻止刻穿层，阻止刻穿层包括自下而上依次设置的第一子层、第二子层及第三子层，第一子层、第二子层及第三子层由逐渐升高的镀率蒸镀形成。因mini LED芯片的工作电流较小，将传统工艺中的反射层、保护层及导电层去除，可在不影响mini LED芯片性能的情况下节约生产成本，在设置阻止刻穿层时，以不同的镀率蒸镀，在接近欧姆接触层处以低镀率蒸镀第一子层，可避免反应腔内的腔体温度升高太快，进而导致金属应力增加，使光刻胶开裂的情况发生，同时可避免因应力而产生的翘边，保障了mini LED芯片的质量。