- 专利标题: 一种增材制造GH4099大型结构件的多场耦合热处理工艺
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申请号: CN202211679047.6申请日: 2022-12-26
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公开(公告)号: CN116145061A公开(公告)日: 2023-05-23
- 发明人: 李鹏廷 , 刘健 , 李森莉 , 吕军 , 陈雄斌 , 谭毅
- 申请人: 大连理工大学 , 北京空天技术研究所
- 申请人地址: 辽宁省大连市高新园区凌工路2号;
- 专利权人: 大连理工大学,北京空天技术研究所
- 当前专利权人: 大连理工大学,北京空天技术研究所
- 当前专利权人地址: 辽宁省大连市高新园区凌工路2号;
- 代理机构: 大连东方专利代理有限责任公司
- 代理商 李洪福
- 主分类号: C22F1/10
- IPC分类号: C22F1/10 ; C22F3/00 ; C22F1/00
摘要:
本发明提供了一种增材制造GH4099大型结构件的多场耦合热处理工艺,涉及增材制造技术领域,包括如下步骤:将增材制造GH4099结构件进行表面清理;将结构件置于炉膛工作室内,使结构件处于固溶状态;将结构件两端连接上脉冲电流;通入电流的同时,停止加热;电流以每5min降低电流强度20A的速度作用于结构件;电流作用一段时间后,关闭脉冲电源,随即将结构件从炉膛工作室取出,使结构件进行空冷,得到处理后结构件。本发明调控强化相在组织中析出行为。最终在脉冲电流和热场的共同作用下,晶界上获得细小非连续的M23C6型碳化物,提高γ基体和γ'相的晶格相干性,改善增材制造GH4099结构件的沉淀相析出局部不均匀,以获得优异的力学性能。
公开/授权文献
- CN116145061B 一种增材制造GH4099大型结构件的多场耦合热处理工艺 公开/授权日:2024-04-02