本发明提供一种生长碳化硅单晶的方法，其包括如下步骤：(1)将原料装配于用于碳化硅单晶生长的装置内；(2)将所述装置放置于单晶生长炉中感应线圈中；(3)然后，采用第一保护性气体进行洗炉，并控制生长炉的真空度；(4)然后，在第二保护性气体的存在下，通过控制所述装置内压强和温度进行碳化硅单晶生长；(5)待碳化硅单晶生长完成后，对所述装置进行退火；待所述装置冷却至室温，得到碳化硅单晶。本发明的方法可以生长大尺寸如8英寸以上的SiC单晶。本发明的方法可以增加SiC晶体生长中原料利用率，降低生长SiC单晶中原料的用量，并且降低生长成本。