发明公开
- 专利标题: 二硫化钼铒单晶材料的制备方法、单层二硫化钼铒单晶材料和用途
-
申请号: CN202310175628.4申请日: 2023-02-28
-
公开(公告)号: CN116180235A公开(公告)日: 2023-05-30
- 发明人: 冯晴亮 , 张文斌 , 王肖剑 , 刘赟
- 申请人: 西北工业大学
- 申请人地址: 陕西省西安市长安区东祥路1号
- 专利权人: 西北工业大学
- 当前专利权人: 西北工业大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市长安区东祥路1号
- 代理机构: 北京中知星原知识产权代理事务所
- 代理商 张文静
- 主分类号: C30B29/46
- IPC分类号: C30B29/46 ; C30B25/14 ; H01L31/036 ; H01L31/032
摘要:
本发明涉及二硫化钼铒单晶材料的制备方法、单层二硫化钼铒单晶材料和用途。单层二硫化钼铒单晶材料中,单晶晶体中含有硫元素、钼元素和铒元素;所述二硫化钼铒单晶合金的晶体中,部分硫元素与铒元素形成共价键,部分硫元素与钼元素形成共价键,部分硫元素同时与铒元素和钼元素形成共价键。本申请提供的单层二硫化钼铒单晶材料实现了对二硫化钼晶体的改性,将铒元素部分替换到二硫化钼晶体中钼的位置,获得了二硫化钼铒单晶材料,提高了二硫化钼材料的本征电子性质,获得了宽光谱响应。
IPC分类: