发明公开
- 专利标题: 肖特基二极管制备方法及肖特基二极管
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申请号: CN202310286583.8申请日: 2023-03-22
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公开(公告)号: CN116190460A公开(公告)日: 2023-05-30
- 发明人: 吕元杰 , 王元刚 , 刘宏宇 , 秦哲 , 李保弟 , 孙保瑞 , 周国 , 卜爱民 , 冯志红
- 申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 申请人地址: 河北省石家庄市合作路113号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人地址: 河北省石家庄市合作路113号
- 代理机构: 石家庄国为知识产权事务所
- 代理商 付晓娣
- 主分类号: H01L29/872
- IPC分类号: H01L29/872 ; H01L21/329
摘要:
本发明提供一种肖特基二极管制备方法和肖特基二极管。该方法包括:利用高温热氧化工艺对目标N+型氧化镓衬底进行氧化处理,得到形成在目标N+型氧化镓衬底上表面的第一N‑型氧化镓漂移层,以及在目标N+型氧化镓衬底下表面的第二N‑型氧化镓漂移层;在第一N‑型氧化镓漂移层的上表面和第二N‑型氧化镓漂移层的下表面制备阳极电极;对目标N+型氧化镓衬底进行裁切,得到第一N+型氧化镓衬底和第二N+型氧化镓衬底;在第一N+型氧化镓衬底的下表面和第二N+型氧化镓衬底的上表面制备阴极电极,得到两个肖特基二极管。本发明能够有效解决外延氧化镓层导致的二极管器件性能差、成品率低和生产成本高等问题。
IPC分类: