公开(公告)号：CN116190460A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310286583.8

申请日：2023-03-22

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 吕元杰 ,  王元刚 ,  刘宏宇 ,  秦哲 ,  李保弟 ,  孙保瑞 ,  周国 ,  卜爱民 ,  冯志红

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329

摘要： 本发明提供一种肖特基二极管制备方法和肖特基二极管。该方法包括：利用高温热氧化工艺对目标N+型氧化镓衬底进行氧化处理，得到形成在目标N+型氧化镓衬底上表面的第一N‑型氧化镓漂移层，以及在目标N+型氧化镓衬底下表面的第二N‑型氧化镓漂移层；在第一N‑型氧化镓漂移层的上表面和第二N‑型氧化镓漂移层的下表面制备阳极电极；对目标N+型氧化镓衬底进行裁切，得到第一N+型氧化镓衬底和第二N+型氧化镓衬底；在第一N+型氧化镓衬底的下表面和第二N+型氧化镓衬底的上表面制备阴极电极，得到两个肖特基二极管。本发明能够有效解决外延氧化镓层导致的二极管器件性能差、成品率低和生产成本高等问题。

公开(公告)号：CN116190459A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310284696.4

申请日：2023-03-22

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 吕元杰 ,  王元刚 ,  刘宏宇 ,  秦哲 ,  李保弟 ,  孙保瑞 ,  周国 ,  卜爱民 ,  冯志红

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329

摘要： 本发明提供一种肖特基二极管制备方法及肖特基二极管。该方法包括：利用高温热氧化工艺对N+型氧化镓衬底进行氧化处理，得到形成在N+型氧化镓衬底上表面的第一N‑型氧化镓漂移层，以及在N+型氧化镓衬底下表面的第二N‑型氧化镓漂移层；去除第二N‑型氧化镓漂移层；在去除了第二N‑型氧化镓漂移层的N+型氧化镓衬底的下表面制备阴极电极，在第一N‑型氧化镓漂移层的上表面制备阳极电极，得到肖特基二极管。本发明能够在无需氧化镓外延工艺的前提下，仅采用N+型氧化镓单晶衬底制备肖特基二极管，进而解决外延氧化镓层会降低二极管器件性能和成品率的问题。