Invention Publication
- Patent Title: 基片处理装置和基片处理方法
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Application No.: CN202180061264.6Application Date: 2021-07-15
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Publication No.: CN116210074APublication Date: 2023-06-02
- Inventor: 藤田阳
- Applicant: 东京毅力科创株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 东京毅力科创株式会社
- Current Assignee: 东京毅力科创株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- Agent 龙淳; 池兵
- Priority: 2020-127395 20200728 JP
- International Application: PCT/JP2021/026560 2021.07.15
- International Announcement: WO2022/024776 JA 2022.02.03
- Date entered country: 2023-01-13
- Main IPC: H01L21/304
- IPC: H01L21/304

Abstract:
本发明要解决的技术问题是,在对周缘部的膜进行液处理时达到期望的处理性能。基片处理装置包括:基片保持部;用于使基片保持部绕旋转轴线旋转的旋转驱动部;和用于向设定在基片周缘部的着液点释放处理液的释放部。释放部包括能够释放相同的处理液的多个喷嘴,其中的一个喷嘴和另一个喷嘴的第一角度θ和第二角度φ中的至少一者彼此不同。定义以从着液点向旋转轴线画的垂线的垂足为中心、以连结所述垂足和着液点的线段为半径、并且位于与旋转轴线正交的平面上的圆,并定义着液点处的所述圆的切线。将连结从处理液释放点向基片正面画的垂线的垂足和着液点的直线与着液点处的所述圆的切线所成的角度定义为第一角度θ,将连结所述垂线的垂足和着液点的直线与连结释放点和着液点的直线所成的角度定义为第二角度φ。
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