发明公开
- 专利标题: 一种含铟三元层状碳化物陶瓷及其制备方法
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申请号: CN202310301062.5申请日: 2023-03-27
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公开(公告)号: CN116217232A公开(公告)日: 2023-06-06
- 发明人: 胡春峰 , 罗嘉 , 张奇强 , 文博
- 申请人: 西南交通大学
- 申请人地址: 四川省成都市金牛区二环路北一段111号
- 专利权人: 西南交通大学
- 当前专利权人: 西南交通大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市金牛区二环路北一段111号
- 代理机构: 成都信博专利代理有限责任公司
- 代理商 秦立飞
- 主分类号: C04B35/56
- IPC分类号: C04B35/56 ; C04B35/622
摘要:
本发明公开了一种含铟三元层状碳化物陶瓷及其制备方法,陶瓷的化学式为Zr3InC2和Hf3InC2,是含铟元素的纳米层状结构三元层状碳化物陶瓷;制备方法为:将Zr/Hf粉、In粉和C粉按摩尔比3:(1.3~1.5):2在氩气保护下混合,得混合粉体;将混合粉体升温至1300~1450℃,其后冷却、磨去表面碳化层,即得样品。本发明首次提出并成功合成Zr3InC2和Hf3InC2;为设计高温陶瓷光电材料提供了全新思路,拓宽了铟元素在耐高温光电材料领域的应用范围。
IPC分类: