公开(公告)号：CN116217232A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310301062.5

申请日：2023-03-27

申请人： 西南交通大学

发明人： 胡春峰 ,  罗嘉 ,  张奇强 ,  文博

IPC分类号： C04B35/56 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种含铟三元层状碳化物陶瓷及其制备方法，陶瓷的化学式为Zr3InC2和Hf3InC2，是含铟元素的纳米层状结构三元层状碳化物陶瓷；制备方法为：将Zr/Hf粉、In粉和C粉按摩尔比3：(1.3～1.5)：2在氩气保护下混合，得混合粉体；将混合粉体升温至1300～1450℃，其后冷却、磨去表面碳化层，即得样品。本发明首次提出并成功合成Zr3InC2和Hf3InC2；为设计高温陶瓷光电材料提供了全新思路，拓宽了铟元素在耐高温光电材料领域的应用范围。

公开(公告)号：CN116396077A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310301270.5

申请日：2023-03-27

申请人： 西南交通大学

发明人： 胡春峰 ,  文博 ,  张奇强 ,  罗嘉

IPC分类号： C04B35/56 ,  C04B35/622 ,  G21C5/12 ,  G21F1/08

摘要： 本发明公开了一种核电站用含铅陶瓷及其制备方法，含铅陶瓷的化学式为Zr3PbC2或Hf3PbC2，是含铅元素的纳米层状结构三元层状碳化物陶瓷，属于MAX相陶瓷中的312相；制备方法为：将Zr/Hf粉、Pb粉和C粉按摩尔比3：(0.9～1.3)：(2～2.3)在氩气保护下混合，得混合粉体；将混合粉体升温至1200～1400℃，其后冷却、磨去表面碳化层，即得样品。本发明首次发现的含铅陶瓷Zr3PbC2和Hf3PbC2，新的陶瓷的发现与制备，为核工业发展提供了新的材料支持，确保了核反应堆的安全运行。

公开(公告)号：CN117024148A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310998818.6

申请日：2023-08-09

申请人： 西南交通大学

发明人： 胡春峰 ,  张奇强 ,  罗嘉 ,  文博 ,  冯庆国

IPC分类号： C04B35/56 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

摘要： 本发明公开了一种稀土钪纳米层状碳化物Sc2AC(A＝Al，Ga，In)陶瓷及其制备方法，陶瓷的化学式为Sc2AlC、Sc2GaC或Sc2InC，空间群为P63/mmc；制备方法具体为：将Sc粉、In/Al/Ga和C粉按2：(0.9～1.2)：1的摩尔比在氩气保护下混合，得混合粉体；将混合粉体装载至自有设计的特制石墨坩埚后装载到放电等离子体烧结炉中，按照一定程序升温至1100～1300℃，其后冷却、磨去表面碳化层，即得样品。本发明解决了困扰学界十几年来这三种化合物是否存在的问题，对后续的研究奠定了坚实的基础；本发明合成的含钪层状化合物均是潜在的二维材料Sc2CTx的前驱体，而Sc2CTx被预测为一种二维半导体材料，有极高的研究和商业应用价值。