发明授权
- 专利标题: 一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法
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申请号: CN202310413511.5申请日: 2023-04-18
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公开(公告)号: CN116219550B公开(公告)日: 2023-10-03
- 发明人: 张甲 , 任宣羽 , 葛传洋 , 李宇阳
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 黑龙江龙权知识产权代理有限公司
- 代理商 郭冠亚
- 主分类号: C30B29/46
- IPC分类号: C30B29/46 ; C30B7/10
摘要:
本发明涉及硒氧化铋薄膜制备领域,更具体的说是一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法,使用水热法制备二维Bi2O2Se,步骤一:将铋盐溶于加入氢氧化钠的水溶液中,加入硝酸钾和硝酸锂形成溶液A,步骤二:在氢氧化钠溶液中加入水合肼,将硒粉溶于其中后形成溶液B,步骤三:将溶液A和溶液B进行混合,转移至聚四氟乙烯内衬中,步骤四:将准备好的衬底放入装有A和B混合溶液的内衬中,装入反应釜;步骤五:将反应釜放入烘箱,调节温度与时间,步骤六:反应完成后,取出衬底,使用乙醇、去离子水洗涤,氩气吹干,可以使用简单方法,绿色安全的批量生产Bi2O2Se。
公开/授权文献
- CN116219550A 一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法 公开/授权日:2023-06-06
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