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公开(公告)号：CN116379901A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310025589.X
申请日：2023-01-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种多信息柔性传感系统，包括接近与触觉传感单元、温度传感单元和湿度传感单元；当外界物体接近、接触、温度变化或湿度变化时，可以根据不同传感器的信号变化情况进行判断，不同传感器的信号变化对机器人产生不同的动作；本发明从多个方面对外界环境和外界物体位置的变化进行感知，提高了传感器的同步感知能力和机器人主动安全控制的精确性降低了不同传感单元之间的交叉耦合度和机器人主动安全控制的延迟和信号干扰。
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公开(公告)号：CN110954251A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911347684.1
申请日：2019-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种压容和压阻耦合的接近感知与接触力传感器，属于触觉安全技术领域，特别是涉及一种压容和压阻耦合的接近感知与接触力传感器。解决了单一检测原理的触觉传感器难以实现大范围力变化的测量、响应速度难以突破毫秒量级、物体与传感器碰撞前的接触感知功能缺失的问题。它包括柔性衬底、共面电极、压阻弹性体和表面凸起，所述柔性衬底位于底部，所述共面电极设置在柔性衬底上，所述压阻弹性体为空腔结构，所述压阻弹性体设置在柔性衬底和共面电极的上方，所述压阻弹性体与柔性衬底合围区域形成空气穴，所述表面凸起设置在压阻弹性体的上表面。它主要用于机器人感知外界环境变化。
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公开(公告)号：CN110004414A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910300279.8
申请日：2019-04-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出一种大面积单元素二维材料制备设备及制备方法，所述设备包括气氛调节装置、低温冷却装置、气管、真空调节装置、循环水装置和蒸发沉积装置。该设备的设计可以显著缩短材料制备的准备和反应时间、降低了生产成本、提高了生产效率。受制于设备自身的尺寸，而不是本发明所提出的方法的局限性，本发明可在四英寸硅片上制备大面积单元素二维碲薄膜材料，亦可以在未被光刻胶覆盖的衬底制备出二维单元素薄膜，其尺寸、厚度和位置可控。
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公开(公告)号：CN116219550B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310413511.5
申请日：2023-04-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及硒氧化铋薄膜制备领域，更具体的说是一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法，使用水热法制备二维Bi2O2Se，步骤一：将铋盐溶于加入氢氧化钠的水溶液中，加入硝酸钾和硝酸锂形成溶液A，步骤二：在氢氧化钠溶液中加入水合肼，将硒粉溶于其中后形成溶液B，步骤三：将溶液A和溶液B进行混合，转移至聚四氟乙烯内衬中，步骤四：将准备好的衬底放入装有A和B混合溶液的内衬中，装入反应釜；步骤五：将反应釜放入烘箱，调节温度与时间，步骤六：反应完成后，取出衬底，使用乙醇、去离子水洗涤，氩气吹干，可以使用简单方法，绿色安全的批量生产Bi2O2Se。
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公开(公告)号：CN116219550A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310413511.5
申请日：2023-04-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及硒氧化铋薄膜制备领域，更具体的说是一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法，使用水热法制备二维Bi2O2Se，步骤一：将铋盐溶于加入氢氧化钠的水溶液中，加入硝酸钾和硝酸锂形成溶液A，步骤二：在氢氧化钠溶液中加入水合肼，将硒粉溶于其中后形成溶液B，步骤三：将溶液A和溶液B进行混合，转移至聚四氟乙烯内衬中，步骤四：将准备好的衬底放入装有A和B混合溶液的内衬中，装入反应釜；步骤五：将反应釜放入烘箱，调节温度与时间，步骤六：反应完成后，取出衬底，使用乙醇、去离子水洗涤，氩气吹干，可以使用简单方法，绿色安全的批量生产Bi2O2Se。
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公开(公告)号：CN115787094A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210955942.X
申请日：2022-08-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及一种辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，包括如下步骤：步骤一、以铋氧硒固体粉末为生长原材料，硒化铋片为辅助材料，生长时将所述生长原材料置于管式炉中心，辅助材料置于生长原材料上游，基底置于下游；步骤二、先向管式炉内通入初始气流量并对基底进行加热，移动炉子加热生长原材料，调节气流量，使用低流量进行形核，达到预设沉积温度后，再使用大气流量在所述沉积温度下保温生长，沉积完毕后，得到层状铋氧硒半导体薄膜。本发明提供的气流量调控硒化铋辅助生长法制备层状铋氧硒半导体薄膜的方法是一种可控制备大面积层状铋氧硒半导体薄膜的方法，在较低温下使用较低的气流量，可以减少形核，更利于生长。
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