本发明涉及导体屏蔽层修复技术领域，公开一种导体屏蔽层的修复方法，包括：开剥待修复位置的两端，以露出待修复位置的两端的导体屏蔽层；对导体屏蔽层靠近待修复位置的端部进行打磨抛光处理；在待修复位置覆盖半导电筒，半导电筒的两端分别与两端的导体屏蔽层相接；对半导电筒进行加压加热处理；对加压加热处理后的半导电筒进行打磨抛光处理。其有益效果在于：开剥待修复位置的两端，可以提高半导电筒与导体屏蔽层之间熔融结合的程度；通过对半导电筒加压加热处理，本方法既可以实现导体屏蔽层的修复，也显著减小了修复位置的体积，还使得半导电筒与导体屏蔽层之间没有可分离的界面，并具有良好的抗局放特性，且防止水汽进入绝缘层。