导体屏蔽层的修复方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116260083A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202310136815.1

    申请日:2023-02-17

    IPC分类号: H02G1/16

    摘要: 本发明涉及导体屏蔽层修复技术领域,公开一种导体屏蔽层的修复方法,包括:开剥待修复位置的两端,以露出待修复位置的两端的导体屏蔽层;对导体屏蔽层靠近待修复位置的端部进行打磨抛光处理;在待修复位置覆盖半导电筒,半导电筒的两端分别与两端的导体屏蔽层相接;对半导电筒进行加压加热处理;对加压加热处理后的半导电筒进行打磨抛光处理。其有益效果在于:开剥待修复位置的两端,可以提高半导电筒与导体屏蔽层之间熔融结合的程度;通过对半导电筒加压加热处理,本方法既可以实现导体屏蔽层的修复,也显著减小了修复位置的体积,还使得半导电筒与导体屏蔽层之间没有可分离的界面,并具有良好的抗局放特性,且防止水汽进入绝缘层。