发明公开
CN116261328A 半导体存储器件
审中-公开
摘要：
一种半导体存储器件，包括：定位焊盘，位于衬底上；下电极，位于所述定位焊盘上并连接到所述定位焊盘；电介质层，位于所述下电极上并沿着所述下电极的轮廓延伸；上电极，位于所述电介质层上；以及上板电极，位于所述上电极上，所述上板电极包括掺杂有硼的第一子板电极和第二子板电极，所述第一子板电极中的所述硼的第一浓度大于所述第二子板电极中的所述硼的第二浓度。
