发明公开
- 专利标题: 一种晶圆键合结构及其形成方法
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申请号: CN202111541406.7申请日: 2021-12-16
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公开(公告)号: CN116266541A公开(公告)日: 2023-06-20
- 发明人: 刘清召
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江路18号;
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江路18号;
- 代理机构: 北京市一法律师事务所
- 代理商 刘荣娟
- 主分类号: H01L21/60
- IPC分类号: H01L21/60 ; H01L23/544 ; H01L25/065
摘要:
本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法,所述结构包括:底部晶圆,所述底部晶圆表面形成有第二介质层,所述第二介质层中形成有第二金属层和第二金属键合标记;第三介质层,位于所述第二介质层表面,所述第三介质层中形成有贯穿所述第三介质层且延伸至所述第二介质层并电连接所述第二金属层的第一再分布层;功能晶圆,所述功能晶圆的第二面形成有第一介质层,所述第一介质层中形成有第二再分布层和第一金属键合标记;所述功能晶圆的第一介质层和所述底部晶圆的第三介质层通过所述第一金属键合标记和所述第二金属键合标记对准并键合。本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法,可以在不影响工艺复杂度的情况下提高晶圆对准精度。
IPC分类: