本发明提供一种大功率垂直结构LED芯片结构及其电流阻挡层的制备方法，所述LED芯片从下到上依次包括导电基板、金属键合层、第一电极、第一半导体层、有源层、第二半导体层、电流阻挡层、第二电极；所述互补层与电流阻挡层的位置上下对应；所述电流阻挡层形成于第二半导体层的表面；所述第二电极形成于电流阻挡层的表面；所述第二电极包括焊盘、传输电极和传输注入电极，焊盘和传输电极的宽度均小于焊盘和传输电极下方的电流阻挡层的宽度，传输注入电极的宽度大于传输注入电极下方的电流阻挡层宽度，通过对第二电极与电流阻挡层的宽度设计，减小电极下方电流拥挤，提高了大功率LED电流扩展均匀性，提高了大电流下芯片的亮度。