发明公开
- 专利标题: 一种中空结构rGO吸波材料及其制备方法和应用
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申请号: CN202310201615.X申请日: 2023-02-23
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公开(公告)号: CN116322008A公开(公告)日: 2023-06-23
- 发明人: 车仁超 , 赵彪 , 张金仓 , 张捷 , 程一峰
- 申请人: 之江实验室
- 申请人地址: 浙江省杭州市余杭区中泰街道之江实验室南湖总部
- 专利权人: 之江实验室
- 当前专利权人: 之江实验室
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市余杭区中泰街道之江实验室南湖总部
- 代理机构: 杭州天正专利事务所有限公司
- 代理商 俞慧
- 主分类号: H05K9/00
- IPC分类号: H05K9/00 ; B32B27/30 ; B32B33/00 ; B32B27/06
摘要:
本发明公开了一种中空结构rGO吸波材料及其制备方法和应用。所述中空结构rGO吸波材料的制备方法的步骤如下:(1)配制GO溶液和聚苯乙烯微球溶液;(2)采用抽滤的方式,先抽滤一层GO溶液;再抽滤一层聚苯乙烯微球溶液;根据上述方式进行多层交替抽滤,最终形成具有n+1层GO层和n层聚苯乙烯微球层的薄膜,其中n≥1;(3)将步骤(2)得到的薄膜转移到鼓风干燥箱中于50~70℃进行干燥;(4)将干燥后的薄膜置于真空管式炉中进行高温处理得到中空结构rGO吸波材料。本发明提供了所述中空结构rGO吸波材料在电磁波吸收中的应用,该吸波材料表现出优异的吸波性能。
公开/授权文献
- CN116322008B 一种中空结构rGO吸波材料及其制备方法和应用 公开/授权日:2023-11-10