本申请提供了一种SRAM及其制作方法，该SRAM中，有源区包括沿第一方向间隔排列的第一区域、第二区域、第三区域以及第四区域；SRAM单元沿第二方向在有源区上排列，相邻两个SRAM单元沿第一方向镜像对称，第一方向垂直于第二方向；第一下拉管和第一控制开关沿第二方向在第一区域中排列，第二下拉管和第二控制开关沿第二方向在第四区域中排列；相邻两个第一控制开关（或第二控制开关）的栅极之间的距离为第一距离，SRAM单元中，第一控制开关（或第二控制开关）与第一下拉管（或第二下拉管）的栅极之间的距离为第二距离，第二距离大于第一距离。本申请在不改变现有工艺的情况下，提升了SRAM读写噪声容限。