发明公开
- 专利标题： 量子点发光二极管及其制备方法
-
申请号： CN202111614813.6申请日： 2021-12-27
-
公开(公告)号： CN116367582A公开(公告)日： 2023-06-30
- 发明人: 陈开敏
- 申请人： TCL科技集团股份有限公司
- 申请人地址： 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
- 专利权人： TCL科技集团股份有限公司
- 当前专利权人： TCL科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
- 代理机构： 深圳紫藤知识产权代理有限公司
- 代理商 肖珍
- 主分类号： H10K50/16
- IPC分类号： H10K50/16 ; H10K50/18 ; H10K50/115 ; H10K71/00 ; H10K101/40
摘要：
本申请公开了一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管包括：依次层叠设置的阳极、量子点发光层、空穴阻挡层、电子传输层以及阴极；其中，电子传输层的材料为量子点；空穴阻挡层的导带底能级与电子传输层的导带底能级之间的差值的绝对值小于等于1.5eV。该量子点发光二极管的载流子注入平衡。