发明公开
- 专利标题: 聚合物纳米复合电介质界面区杨氏模量分析方法和装置
-
申请号: CN202310350096.3申请日: 2023-04-03
-
公开(公告)号: CN116380657A公开(公告)日: 2023-07-04
- 发明人: 闵道敏 , 段亚楠 , 高梓巍 , 宋小凡 , 郝予涛 , 刘文凤 , 王诗航
- 申请人: 西安交通大学
- 申请人地址: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 专利权人: 西安交通大学
- 当前专利权人: 西安交通大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 代理机构: 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理商 范巍
- 主分类号: G01N3/08
- IPC分类号: G01N3/08
摘要:
本发明公开了聚合物纳米复合电介质界面区杨氏模量分析方法和装置,所述方法使用蒙特卡洛法构建聚合物纳米复合电介质三维结构模型,高通量仿真各界面区性质的聚合物纳米复合电介质的应力和应变场及有效杨氏模量,结合有效介质理论高通量仿真聚合物纳米复合电介质的有效杨氏模量,反演得到界面区的杨氏模量分布特性。建立起界面区介观特性于宏观力学性能间的关联,为研发高性能电气绝缘材料提供了理论和方法支持,有助于开发高击穿强度和储能密度的电介质电容器。