本发明属于单晶炉单晶硅生长技术领域，具体涉及一种降氧式单晶炉和降氧式单晶生长方法，包括上炉室、下炉室、坩埚和主加热器，上保温筒及其外的上保温筒毡，中保温筒及其外的中保温筒毡、下保温筒及其外的下保温筒毡，所述主加热器具有下开缝发热区和上开缝发热区，所述主加热器还包括若干堵条，所述堵条分别嵌入所述主加热器的下开缝发热区的底部并沿其具有的开缝向上延伸，且与堵条配套新增n层上保温筒毡、n层中保温筒毡，P=S×U²/[ρ（L‑m）]；n=P/1kw。本发明能在保障单晶硅生长热场需求的同时减少坩埚R角部分的高温烘烤，降低单晶硅棒的氧含量，提高晶棒品质及太阳能电池片的光电转换效率。