本发明公开了一种半导体芯片的制造方法，包括如下步骤：在半导体基片上生长硬掩模介质层，所述半导体基片包括浓掺杂的半导体衬底和淡掺杂的外延层，所述硬掩模介质层包括第一氧化硅、第一氮化硅；采用光刻、刻蚀工艺，去除第一设定区域的硬掩模介质层；以硬掩模介质层为阻挡层，采用刻蚀工艺，在半导体基片之中形成第一沟槽；采用热氧化工艺，在第一沟槽之中生长第二氧化硅；去除第一氮化硅，生长第二氮化硅；采用光刻、刻蚀工艺，去除第二设定区域的第二氮化硅和第一氧化硅；第二设定区域为预设沟槽型半导体芯片元胞的区域。本发明具有消除了台阶高度差等优点。