发明公开
- 专利标题: 半导体外延膜的制作方法及其工艺控制系统
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申请号: CN202211095122.4申请日: 2022-09-05
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公开(公告)号: CN116411344A公开(公告)日: 2023-07-11
- 发明人: 洪学天 , 王尧林 , 林和 , 赵大国 , 牛崇实 , 陈宏
- 申请人: 晋芯电子制造(山西)有限公司 , 晋芯先进技术研究院(山西)有限公司
- 申请人地址: 山西省太原市中北高新技术产业开发区阳兴南街丰源西路;
- 专利权人: 晋芯电子制造(山西)有限公司,晋芯先进技术研究院(山西)有限公司
- 当前专利权人: 晋芯电子制造(山西)有限公司,晋芯先进技术研究院(山西)有限公司
- 当前专利权人地址: 山西省太原市中北高新技术产业开发区阳兴南街丰源西路;
- 代理机构: 北京冠和权律师事务所
- 代理商 陈姣姣
- 主分类号: C30B25/18
- IPC分类号: C30B25/18 ; H01L29/47 ; C30B25/16 ; C30B29/10
摘要:
本发明涉及半导体器件制作工艺技术领域,提供了一种半导体外延膜的制作方法及其工艺控制系统,制作方法包括将硅衬底放置在超高真空室,控制超高真空室为设定真空度;将硅衬底加热到第一预定温度,去除硅衬底表面的天然氧化物层;降低温度至预设的第二预定温度,提供锶原子流,在硅衬底表面沉积生长设定厚度的二硅化锶膜。工艺控制系统包括主控模块、反射高能电子衍射仪、红外高温计和电离压力计;主控模块分别与反射高能电子衍射仪、红外高温计和电离压力计连接,用于在半导体外延膜的制作工艺中实现工艺条件和加工的协调控制。本发明工艺简单,外延膜稳定性与重复性好,不会导致形成多晶SrSi2膜、Sr层或Sr硅化物的其他相。