公开(公告)号：CN113364272A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110686362.0

申请日：2021-06-21

申请人： 弘大芯源(深圳)半导体有限公司

发明人： 洪学天 ,  张维忠 ,  林和 ,  牛崇实 ,  黄宏嘉

IPC分类号： H02M3/00 ,  H02M1/08 ,  H02M1/32

摘要： 本发明提供了一种直流电压转换器的平稳启动系统，包括：误差放大器与软启动电路和反馈电路连接，软启动电路与反馈电路和误差放大器连接，反馈电路分别与误差放大器、软启动电路、输入控制电路以及锁定比较电路连接，输入控制电路分别与反馈电路、锁定比较电路和偏置电压源连接，偏置电压源与输入控制电路连接，锁定比较电路与反馈电路和输入控制电路连接。本发明提出的一种直流电压转换器的平稳启动系统，通过在开关稳定器电路中采用了平稳启动系统，消除稳定器输出电压跳变状况，从而达到理想的电路启动效果。

公开(公告)号：CN113594040A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110817741.9

申请日：2021-07-20

申请人： 弘大芯源(深圳)半导体有限公司

发明人： 林和 ,  黄宏嘉 ,  牛崇实 ,  洪学天

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供一种双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法，包括：步骤S1：在P型衬底上形成N+型掩埋层；步骤S2：在N+型掩埋层上生长N型外延层；步骤S3：在N型外延层上形成P+深埋层和场氧化物；步骤S4：在场氧化物旁形成栅极氧化层；步骤S5：在栅极氧化层上沉积多晶硅栅极并用磷掺杂；步骤S6：在N型外延层上采用粒子掺杂形成P型基极；步骤S7：在N外延层上方以光刻形成漏极和源极；步骤S8：在漏极上形成漏区金属接触区，在源极上形成源区金属接触区。本发明消除基极的穿孔效应，改善晶体管的电参数：减少漏‑源之间的漏电流，增加击穿电压，并最大程度地减少制造集成电路(I C)中的晶体管的光刻次数，从而降低成本。

公开(公告)号：CN113436966A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202110704001.4

申请日：2021-06-24

申请人： 弘大芯源(深圳)半导体有限公司

发明人： 林和 ,  牛崇实 ,  洪学天 ,  黄宏嘉 ,  张维忠

IPC分类号： H01L21/263

摘要： 本发明提出了一种具有增强的抗辐射性能的模拟集成电路加工方法。所述方法包括：在硅衬底的隔离单晶区中形成含有源元件和无源元件的集成电路之后，将含有有源元件和无源元件的集成电路中的辐射敏感级联的晶体管制成复合形式的晶体管；通过α‑粒子对复合形式的晶体管进行辐照，将所述复合形式的晶体管的辐射缺陷引入发射极‑基极结来调节复合晶体管的增益系数；利用γ‑粒子辐照所述集成电路中的所有元件；在γ‑粒子辐照所有元件后，对所述集成电路进行稳定退火处理，所述稳定退火时间与形成所述集成电路过程中的原型退火时间一致。