Invention Grant
- Patent Title: 基于稳定分布参数概率密度估计的GBAS伪距误差包络方法
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Application No.: CN202310670868.1Application Date: 2023-06-08
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Publication No.: CN116413752BPublication Date: 2023-08-18
- Inventor: 薛瑞 , 刘博远
- Applicant: 北京航空航天大学
- Applicant Address: 北京市海淀区学院路37号
- Assignee: 北京航空航天大学
- Current Assignee: 北京航空航天大学
- Current Assignee Address: 北京市海淀区学院路37号
- Agency: 北京天达知识产权代理事务所有限公司
- Agent 李明里
- Main IPC: G01S19/40
- IPC: G01S19/40 ; G01S19/25 ; G01S19/11

Abstract:
本发明涉及一种基于稳定分布参数概率密度估计的GBAS伪距误差包络方法,包括:获取GBAS伪距误差的样本序列;对样本序列建立四参数稳定分布模型;基于保护级的完好性监测对GBAS误差包络的对称性要求,确定出稳定分布的偏度参数和位置参数的具体值;在确定了偏度参数和位置参数后,确定出稳定分布的稳定性参数和尺度参数的概率分布;根据稳定性参数和尺度参数的概率分布以及真实误差超过误差阈值的概率分布进行全概率积分,确定出总完好性风险与误差阈值的对应关系;进而得到满足总完好性风险需求的误差阈值;利用误差阈值计算出用于伪距误差包络的放大因子。本发明克服高斯包络过于保守的问题,从而显著降低算得的保护级,提升系统连续性。
Public/Granted literature
- CN116413752A 基于稳定分布参数概率密度估计的GBAS伪距误差包络方法 Public/Granted day:2023-07-11
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