发明公开
- 专利标题: 二维材料场效应晶体管的建模方法及装置
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申请号: CN202310266025.5申请日: 2023-03-13
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公开(公告)号: CN116432565A公开(公告)日: 2023-07-14
- 发明人: 任天令 , 鄢诏译 , 刘厚方 , 田禾 , 杨轶 , 侯展 , 鲁添 , 赵瑞婷 , 闫涧澜 , 闫岸之 , 王震泽
- 申请人: 清华大学
- 申请人地址: 北京市海淀区清华园1号
- 专利权人: 清华大学
- 当前专利权人: 清华大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华园1号
- 代理机构: 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 黄德海
- 主分类号: G06F30/30
- IPC分类号: G06F30/30
摘要:
本申请涉及一种二维材料场效应晶体管的建模方法及装置,其中,方法包括:基于二维材料场效应晶体管的器件结构与电学特性测试偏置配置信息,确定沟道的源结、本征沟道和漏结的坐标区间;根据划分的坐标区间建立源结和漏结的Landauer载流子输运物理图景的数学模型;利用预设Landauer公式和预设漂移扩散公式的准费米能级相空间(QFLPS)形式分别生成源结、本征沟道和漏结的电流输运,得到电流的综合公式。由此,解决了相关技术中,通过基尔霍夫电流守恒定律求解内部节点电压计算得到最终的结‑沟道串联电流,严重影响计算效率,不满足电路仿真的效率要求,按照并联取加权平均的方法没有物理含义,不利于从物理角度根据实验结果对工艺进行评估等问题。