一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底层，基底层包括电容区；在电容区中，在基底层的顶部形成第一极板；在基底层的顶部和第一极板的顶部形成绝缘层，绝缘层包括叠层结构的主介电层和电场调节层，电场调节层的介电常数大于主介电层的介电常数，其中，电场调节层位于主介电层和第一极板之间，或者，电场调节层位于主介电层的顶部，或者，电场调节层分别位于主介电层和第一极板之间、以及主介电层的顶部；在电容区的绝缘层的顶部形成第二极板，第二极板位于第一极板的顶部上方，第二极板、第一极板、以及位于第二极板和第一极板之间的绝缘层用于构成电容结构。提高第一极板和第二极板之间抗击穿能力，提高半导体结构的性能。