本发明属于半导体/介电材料技术领域，具体涉及一类铋基氧硫族一维材料的可控合成制备方法。该方法具体为：先称取一定质量的Bi2Te3粉末作为前驱体置于高温区，并采用热蒸镀金硅片或滴涂金硅片作为基底置于低温区，抽取真空后将两个温区的温度按一定速率升高到目标温度，然后通入载气进行一维材料的生长，生长完毕后停止通入载气，自然冷却至室温，即制备得到Bi2O2Te/Bi2TeO5一维材料。本发明方法具有操作简便、安全性高、可控性强等优点，填补了Bi2O2Te/Bi2TeO5一维材料零合成的空白。